Фотолюминесценция монокристаллов InSe и GaSe, легированных редкоземельными элементами

Rzayev R., Абдинов A., Бабаева P.

vol.40, pp.660-662, 2004 (Peer-Reviewed Journal)

  • Nəşrin Növü: Article / Article
  • Cild: 40
  • Nəşr tarixi: 2004
  • Səhifə sayı: pp.660-662
  • Açıq Arxiv Kolleksiyası: Məqalə
  • Adres: Bəli

Qısa məlumat

Исследовано влияние легирования РЗЭ (Gd, Ho, Dy) в различных концентрациях (10-5-10-1 ат.%) на фотолюминесценцию монокристаллов InSe и GaSe со слоистой структурой в диапазоне температур 77-300 K. Определены зависимости яркости излучения и характер спектра фотолюминесценции от содержания РЗЭ. Показано, что в обоих материалах фотолюминесценция имеет экситонное происхождение.