Pressure Induced Semiconductor‐Metal Transition in Tl‐Se Layered Semiconductor

Rabinal M., Asokan S., Godazaev M., MƏMMƏDOV N., Gopal E.

physica status solidi (b), vol.167, no.2, 1991 (Scopus)

• Nəşrin Növü: Article / Article
• Cild: 167 Say: 2
• Nəşr tarixi: 1991
• Doi nömrəsi: 10.1002/pssb.2221670242
• jurnalın adı: physica status solidi (b)
• Jurnalın baxıldığı indekslər: Scopus
• Açıq Arxiv Kolleksiyası: Məqalə
• Adres: Bəli