Photoluminescence of Rare-Earth-Doped InSe and GaSe Single Crystals

Abdinov A. S., Babaeva R. F., Rzaev R., Gasanov G. A.

INORGANIC MATERIALS, vol.40, pp.567-569, 2004 (SCI-Expanded)

  • Nəşrin Növü: Article / Article
  • Cild: 40
  • Nəşr tarixi: 2004
  • Doi nömrəsi: 10.1023/b:inma.0000031987.03089.a8
  • jurnalın adı: INORGANIC MATERIALS
  • Jurnalın baxıldığı indekslər: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
  • Səhifə sayı: pp.567-569
  • Adres: Yox

Qısa məlumat

Исследовано влияние легирования РЗЭ (Gd, Ho, Dy) в различных концентрациях (10-5-10-1 ат.%) на фотолюминесценцию монокристаллов InSe и GaSe со слоистой структурой в диапазоне температур 77-300 K. Определены зависимости яркости излучения и характер спектра фотолюминесценции от содержания РЗЭ. Показано, что в обоих материалах фотолюминесценция имеет экситонное происхождение.