Влияние легирования РЗЭ на электрические свойства монокристаллов InSe.

---

Rzayev R., Абдинов A., Бабаева P., Багирова A.

Ж. «Неорганические материалы»., vol.42, pp.1035-1039, 2006 (Peer-Reviewed Journal)

• Nəşrin Növü: Article / Article
• Cild: 42
• Nəşr tarixi: 2006
• jurnalın adı: Ж. «Неорганические материалы».
• Səhifə sayı: pp.1035-1039
• Açıq Arxiv Kolleksiyası: Məqalə
• Adres: Bəli

Qısa məlumat

В широком диапазоне температуры (77-400 К), длин волн (0.30-3.50 мкм) и освещенности (до ~10² лк) исследованы особенности влияния легирования РЗЭ (Gd, Но и Dy) в различных концентрациях (ДГ_рзэ ≈ 0, 10^-5, 10^-4, 10^-3, 10^-2 и 10^-1 ат. %) на некоторые электрические свойства (эффекты переключения и низкочастотные осцилляции тока) монокристаллов селенида индия, относящихся к классу полупроводниковых соединений А^ШВ^VI со слоистой структурой. Предложены качественные механизмы для объяснения влияния легирования РЗЭ на свойства n-InSe.