Dzhafarova S., Ragimova N., Abutalybov G., Natiq B.
Physics of the Solid State, vol.33, pp.725-729, 1991 (Peer-Reviewed Journal)
-
Nəşrin Növü:
Article / Article
-
Cild:
33
-
Nəşr tarixi:
1991
-
jurnalın adı:
Physics of the Solid State
-
Səhifə sayı:
pp.725-729
-
Açıq Arxiv Kolleksiyası:
Məqalə
-
Adres:
Bəli
Qısa məlumat
Обнаружено взаимное влияние внутриатомного связанного с 4f−4f" role="presentation" >4f−4f-электронными переходами между основным 4I9/2" role="presentation" >4I9/2 и возбужденными состояниями 2G7/2" role="presentation" >2G7/2; 4G5/2" role="presentation" >4G5/2 иона Nd3+" role="presentation" >3+ и экситонного поглощения в монокристаллах TeGaS2" role="presentation" >2, активированных соединением сесквисульфида неодима Nd2" role="presentation" >2S3" role="presentation" >3. На основании температурной, концентрационной зависимости коэффициента поглощения, а также исследований рентгеноструктурного анализа предложена модель возникновения локальных образований Nd3+" role="presentation" >3+ в TlGaS2" role="presentation" >2.