Вестник Бакинского Университета, no.1, pp.129-136, 2015 (Peer-Reviewed Journal)
Экспериментально обнаружены и исследованы некоторые специфические особенности собственной фотопроводимости кристаллов моноселенида индия (n-InSe). Показано, что полученные при этом экспериментальные результаты могут удовлетворительно объясняться на основе частичной неупорядоченности изучаемых кристаллов, и позволяют рекомендовать указанный полупроводник в качестве перспективного материала для создания фоторезисторов с памятью и S-образной вольтамперной характеристикой.