Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов n-InSe


Rzayev R., Абдинов А., Мехтиев Н., Бабаева Р.

no.6, pp.76-80, 2014 (Peer-Reviewed Journal)

  • Nəşrin Növü: Article / Article
  • Nəşr tarixi: 2014
  • Səhifə sayı: pp.76-80
  • Adres: Yox

Qısa məlumat

Экспериментально исследованы зависимости основных параметров и характеристик собственной фотопроводимости от различных факторов в монокристаллах моноселенида индия (n-InSe). Показано, что полученные экспериментальные результаты могут удовлетворительно объясняться на основе частичной неупорядоченности кристаллов этого полупроводника и позволяют рекомендовать их в качестве подходящего материала для создания многофункциональных фотоприемников света — фоторезисторов со свойством фотоэлектрической памяти и накопления воздействия последовательных слабых световых сигналов.