Фотолюминесценция монокристаллов InSe и GaSe, легированных редкоземельными элементами
vol.40, pp.660-662, 2004 (Peer-Reviewed Journal)
- Publication Type: Article / Article
- Volume: 40
- Publication Date: 2004
- Page Numbers: pp.660-662
- Open Archive Collection: Article
- Azerbaijan State University of Economics (UNEC) Affiliated: No
Abstract
Исследовано влияние легирования РЗЭ (Gd, Ho, Dy) в различных концентрациях (10-5-10-1 ат.%) на фотолюминесценцию монокристаллов InSe и GaSe со слоистой структурой в диапазоне температур 77-300 K. Определены зависимости яркости излучения и характер спектра фотолюминесценции от содержания РЗЭ. Показано, что в обоих материалах фотолюминесценция имеет экситонное происхождение.