Фотолюминесценция монокристаллов InSe и GaSe, легированных редкоземельными элементами

Rzayev R., Абдинов A., Бабаева P.

vol.40, pp.660-662, 2004 (Peer-Reviewed Journal)

  • Publication Type: Article / Article
  • Volume: 40
  • Publication Date: 2004
  • Page Numbers: pp.660-662
  • Open Archive Collection: Article
  • Azerbaijan State University of Economics (UNEC) Affiliated: No

Abstract

Исследовано влияние легирования РЗЭ (Gd, Ho, Dy) в различных концентрациях (10-5-10-1 ат.%) на фотолюминесценцию монокристаллов InSe и GaSe со слоистой структурой в диапазоне температур 77-300 K. Определены зависимости яркости излучения и характер спектра фотолюминесценции от содержания РЗЭ. Показано, что в обоих материалах фотолюминесценция имеет экситонное происхождение.