Влияние света на подвижность свободных носителей заряда в кристаллах моноселенида индия

Rzayev R., Абдинов А., Бабаева Р., Амирова С., Рагимова Н.

vol.48, no.8, pp.1009-1013, 2014 (Peer-Reviewed Journal)

  • Publication Type: Article / Article
  • Volume: 48 Issue: 8
  • Publication Date: 2014
  • Page Numbers: pp.1009-1013
  • Azerbaijan State University of Economics (UNEC) Affiliated: No

Abstract

Исследовано влияние света из различных областей оптического поглощения (собственного и примесного) на подвижность свободных носителей заряда в чистых (специально не легированных) кристаллах моноселенида индия (n-InSe) с различным значением исходной темновой удельной проводимости (σT0 = 10−3−10−8 Ом−1 см−1 при 77 K) при различных внешних условиях. Обнаружены зависимость подвижности свободных носителей заряда от воздействия света, положительная и отрицательная подвижностная память, а также стирание (гашение) подвижностной памяти. Предложена модель, которая основывается на частичной неупорядоченности исследуемых кристаллов и качественно удовлетворительно объясняет полученные экспериментальные результаты.