Проводимость высокоомных чистых и легированных РЗЭ кристаллов GaSe

Rzayev R., Абдинов A., Аллахвердиев Щ., Бабаева Р.

vol.45, pp.785-789, 2009 (Peer-Reviewed Journal)

  • Nəşrin Növü: Article / Article
  • Cild: 45
  • Nəşr tarixi: 2009
  • Səhifə sayı: pp.785-789
  • Açıq Arxiv Kolleksiyası: Məqalə
  • Adres: Bəli

Qısa məlumat

Исследована кинетика проводимости нелегированных и легированных РЗЭ (Gd, Ho, Dy; N РЗЭ 10-5 10-1 ат.%) высокоомных кристаллов моноселенида галлия при различных условиях. Установлено, что в области Т 150 K при не очень высоких значениях приложенного внешнего напряжения проводимость кристаллов достигает постоянного значения медленно, а в области Т 300 K при длительном выдерживании образцов под действием напряжения, большего некоторого граничного значения, наблюдается электрическая “утомляемость” материала. Предложена энергетическая модель, качественно объясняющая полученные результаты.