Влияние легирования редкоземельными эле-мен¬тами на исходную и сенсибилизирован-ную ИК-фоточувствительность слоистых кри¬сталлов селенида индия.

Rzayev R., Абдинов A., Эйвазова Г., Бабаева Р.

Прикладная физика, no.2, pp.196, 2004 (Peer-Reviewed Journal)

  • Publication Type: Article / Article
  • Publication Date: 2004
  • Journal Name: Прикладная физика
  • Page Numbers: pp.196
  • Open Archive Collection: Article
  • Azerbaijan State University of Economics (UNEC) Affiliated: No

Abstract

Исследовано влияние легирования редкоземельными элементами (РЗЭ) типа Gd, Ho и Dy при NREE ≈0—10-1 ат. % на исходную, а также сенсибилизированную ИК-фоточувствительность в кристаллах слоистого полупроводника n-InSe. Показано, что зависимость исходной и сенсибилизированной ИК-фоточувствительностей от уровня легирования РЗЭ в изучаемых кристаллах InSe обусловлена зависимостью степени пространственной неоднородности кристалла, энергетической глубины залегания мелких уровней αприлипания и r-центров медленной рекомбинации, а также плотности мелких уровней αприлипания от NREE.