Exciton, intracenter, and structure-defect transitions in quasitwo-dimensional TlGaS2:Nd2S3 crystals

Abutalybov G., Dzhafarova S., Ragimova N., Mekhtiev E.

Soviet physics. Semiconductors., vol.26, pp.922-923, 1992 (Peer-Reviewed Journal)

• Nəşrin Növü: Article / Article
• Cild: 26
• Nəşr tarixi: 1992
• jurnalın adı: Soviet physics. Semiconductors.
• Səhifə sayı: pp.922-923
• Açıq Arxiv Kolleksiyası: Məqalə
• Adres: Bəli