Tərcümeyi hal
30 dekabr 1969-cu ildə Bakı şəhərində anadan
olmuş, 1976-1986-cı illərdə Bakı şəhəri Nəsimi rayonu 42 saylı orta ümumtəhsil
məktəbində təhsil almışam. 1986-cı ildə orta məktəbi əla qiymətlərlə bitirmiş və
həmin ildə Azərbaycan Dövlət Universitetinin (indiki Bakı Dövlət
Universitetinin) Fizika fakültəsinin əyani şöbəsinə qəbul olunmuşam. 1991-ci ildə
bu fakültəni “Fizik, fizika müəllimi” ixtisası üzrə müvəffəqiyyətlə bitirərək, dövlət
göndərişi ilə Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının Qeyri-üzvi və Fiziki Kimya
İnstitutunda əmək fəaliyyətinə başlamış, 1991-ci il dekabr ayına qədər burada
baş laborant vəzifəsində çalışmışam.
1991-ci ilin sonunda Bakı Dövlət
Universitetinin Fizika fakültəsinin Elmi Şurasının zəmanəti ilə həmin fakültənin
nəzdində fəaliyyət göstərən “Bərk Cisim Elektronikası” Elmi-tədqiqat
laboratoriyasında “Fiziki elektronika” ixtisası üzrə əyani aspiranturaya daxil
olmuş, 1994-cü ildə - aspirantura müddəti bitməzdən əvvəl dissertasiya işini
başa çatdırmışam.
Aspiranturada təhsilini bitirdikdən sonra 1994-cü
ildə Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyinin göndərişi ilə Bakı Dövlət Əmtəəşünaslıq-Kommersiya
İnstitutunun “Fizika” kafedrasında baş müəllim vəzifəsinə təyin olunmuş,
1997-ci ildən bu kafedranın, 2000-ci ildən isə Azərbaycan Dövlət İqtisad
Universitetinin “Fizika və Kimya” kafedrasının dosenti olmuş, 2013-cü ildən həmin
kafedranın, 2020-ci ildən isə “Mühəndislik və tətbiqi elmlər” kafedrasının professoru
vəzifəsində çalışıram.
1995-ci ildə Azərbaycan Milli Elmlər
Akademiyasının Fotoelektronika İnstitutunun nəzdində fəaliyyət göstərən
Dissertasiya Şurasında “İndium selen monokristalları tipli qismən nizamsız
yarımkeçiricilərdə elektron proseslərinə aşqarlanmanın təsiri” mövzusunda “01.04.04
- fiziki elektronika” ixtisası üzrə namizədlik dissertasiyası müdafiə edərək,
fizika-riyaziyyat elmləri namizədi alimlik (03 may 1995-ci il, protokol № 25) və
2009-cu ildə isə Bakı Dövlət Universitetinin nəzdində fəaliyyət göstərən
Dissertasiya Şurasında “Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış laylı
quruluşlu AIIIBVI kristalları tipli qismən nizamsız
yarımkeçiricilərdə və onların əsasında hazırlanmış heterokeçidlərdə elektron
hadisələrinin xüsusiyyətləri” mövzusunda, “01.04.07 - bərk cisim fizikası”
ixtisası üzrə doktorluq dissertasiyası müdafiə edərək “Fizika üzrə elmlər
doktoru” elmi dərəcəsi (24 iyun 2011-ci il, protokol № 11-R) almışam.
Azərbaycan Respublikası Prezidenti yanında
Ali Attesasiya Komissiyası tərəfindən 1998-ci ildə “Fizika kafedrası” üzrə
dosent (14 dekabr 1998-ci il, protokol № 47), 2017-ci ildə isə “Fizika və kimya
kafedrası” üzrə professor (10 fevral 2017-ci il, protokol № 01-R) elmi adları verilmişdir.
50-dən çoxu yüksək indeksli 7 Beynəlxalq elmi
jurnallarda, 55-dən çoxu 10 müxtəlif ölkədə keçirilən mötəbər Beynəlxalq Elmi Simpozium
və Konfransların materiallarında, digərləri isə Azərbaycan Respublikanın və
Xarici Ölkələrin çox nüfuzlu elmi jurnallarında - bütövlükdə 14 müxtəlif elmi jurnalda
çap olunmuş 285-dən çox elmi əsərin, o cümlədən ali məktəblər üçün yazılmış 4 fənn
proqramının, 5 dərslik və dərs vəsaitinin müəllifi, Azərbaycan Respublikasında
keçirilən “Respublika
Gənc Alimlərinin Müsabiqəsi”nin ilk (1995-ci il) Laureatıyam. 2016-cı ildə Almaniyanın “LAP LAMBERT Academic Publishing” nəşriyyatı
tərəfindən rus dilində 1 monoqrafiyam çapdan çıxmışdır. “Google Scholar”
platformasında yerləşdirilmiş elmi məqalələrimə indiyədək müxtəlif alimlər tərəfindən
279-a qədər istinad olunmuşdur. İlk dəfə olaraq apardığım təcrübi tədqiqatlarda
laylı kristal quruluşlu AIIIBVI birləşmələri sinfinə aid
olan yarımkeçiricilərinin kristallarında fotoelektrik, elektrofiziki, kontakt
hadisələri parametrlərinin və xarakteristikalarının statistik dayanıqsızlığının
səbəblərinin fiziki mexanizmi aydınlaşdırılmış və bu dayanıqsızlığın həmin yarımkeçirici
kristalları nadir torpaq elementləri ilə müvafiq miqdarda aşqarlamaqla məqsədyönlü
şəkildə tənzimləməyin mümkünlüyü göstərilmiş, adı gedən yarımkeçirici
materiallarda zəif intensivlikli ardıcıl işıq siqnallarının fotoelektrik yaddaşı
yaratmaq təsirinin additiv toplanması hadisəsi müşahidə edilmiş və bu hadisənin
elmi izahı üçün xüsusi model təklif edilmişdir.
Universitetdə Elmi adların və Elmi dərəcələrin
alınması üçün müraciət edən əməkdaşların təqdim etdikləri sənədləri
ekspertizadan keçirmək üçün yaradılan Ekspertiza Komissiyasının, Mühəndislik
fakültəsinin Elmi Şurasının üzvüyəm. 01.10.2022-ci il tarixdən
“Mühəndislik və tətbiqi elmlər” kafedrası “Elektrik və elektronika mühəndisliyi”
ixtisasının ixtisas rəhbəri təyin edilmişəm.
1997 və
2017-ci illərdə Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyinin “Fəxri Fərmanı” ilə,
2020-ci ildə “Tərəqqi” medalı ilə təltif olunmuşam.
Elanlar və sənədlər
Faylı Yüklə
Təhsil Məlumatı
2001 - 2006
2001 - 2006Post Doctorate
Bakü Devlet Üniversitesi, Fizika, Bərk cisim fizikası, Azerbaijan
1991 - 1994
1991 - 1994Doctorate
Bakü Devlet Üniversitesi, Fizika, Fiziki elektronika, Azerbaijan
1986 - 1991
1986 - 1991Undergraduate
Bakü Devlet Üniversitesi, Fizika, Fizika, Azerbaijan
Dissertasiya
2009
2009Post Doctorate
Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış laylı quruluşlu AIIIBVI kristalları tipli qismən nizamsız yarımkeçiricilərdə və onların əsasında hazırlanmış heterokeçidlərdə elektron hadisələrinin xüsusiyyətləri
Azerbaijan State University of Economics (UNEC), Mühəndislik Fakültəsi, Mühəndislik Və Tətbiqi Elmlər Kafedrası
1995
1995Doctorate
Влияние легирования на электронные процессы в частично - неупорядоченных полупроводниках типа монокристаллов селенида индия
Azerbaijan State University of Economics (UNEC), Mühəndislik Fakültəsi, Mühəndislik Və Tətbiqi Elmlər Kafedrası
Xarici Dillər
B1 Intermediate
B1 IntermediateEnglish
C2 Mastery
C2 MasteryRussian
Sertifikatlar, Kurslar və Təlimlər
2022
2022Elektrik və elektron texnikası materialları
Science and Technology Policy
UNEC
2018
2018Tədris materiallarının keyfiyyətinin yüksəldilməsi və beynəlxalq standartlara uyğunlaşdırılması
Education Management and Planning
Azerbaycan Devlet Iktisat Enstitüsü
2016
2016Mülki müdafiə idarəsinin mərkəzi mülki müdafiə kursları
Security
Mülki müdafiə idarəsi
Elmi tədqiqat sahələri
Physics
Natural Sciences
SCI, SSCI və AHCI tərəfindən indekslənmiş dərc edilmiş jurnal məqalələri
2024
2024Peculiarities of TP-e.m.f. caused by the heating of charge carriers by an electric field in a layered semiconductor n-InSe
Naghiyev T., Babayeva R., Abiyev A. S.
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B
, vol.97, no.9, 2024 (SCI-Expanded)
2024
2024Characterization of rare-earth-doped photocells based on p-GaSe/n-InSe heterojunctions
Abdinov A. S., Babayeva R., Aliyev Y. I.
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B
, 2024 (SCI-Expanded)
2024
2024Temperature dependence of photoconductivity in layered semiconductor p-GaSe
Naghiyev T., Babayeva R., Aliyev Y.
European Physical Journal B
, vol.97, no.6, 2024 (SCI-Expanded)
2024
2024Study of Raman scattering in As-Se chalcogenide glasses by applying of partial pair correlation functions
Alekberov R., Mekhtiyeva S., Babayeva R., Fabian M., Mammadov S.
INDIAN JOURNAL OF PHYSICS
, 2024 (SCI-Expanded)
2023
2023Electroluminescence in rare-earth doped n-InSe crystal promising for optoelectronics
Babayeva R., Naghiyev T.
MODERN PHYSICS LETTERS B
, vol.37, no.21, 2023 (SCI-Expanded)
2023
2023Photoconductivity of pure and rare-earth doped <i>p</i>-GaSe single crystals
Babayeva R.
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B
, vol.37, no.14, 2023 (SCI-Expanded)
2022
2022Extrinsic Photoelectric Effects in Holmium- and Erbium-Doped n-InSe Crystals under Combined Excitation
Abdinov A. S., Babaeva R.
Inorganic Materials
, vol.58, no.7, pp.696-700, 2022 (SCI-Expanded)
2022
2022On the Photoconductivity of <i>p</i>-GaSe⟨REE⟩ Layered Semiconductors and a Multiband Photoreceiver of Light on Their Basis
Abdinov A. S., Babayeva R.
SEMICONDUCTORS
, vol.56, no.2, pp.39-42, 2022 (SCI-Expanded)
2021
2021Electric-Field-Induced Impurity Effects in <i>p</i>-GaSe Single Crystals
Abdinov A. S., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS
, vol.57, no.11, pp.1119-1123, 2021 (SCI-Expanded)
2021
2021Effect of Electric Field on Photoconductivity of <i>p</i>-GaSe Single Crystals
Abdinov A. S., Babaeva R.
RUSSIAN PHYSICS JOURNAL
, vol.64, no.2, pp.276-281, 2021 (SCI-Expanded)
2021
2021Effects of Rare-Earth (Gd and Er) Doping and Electric Field on the Photoconductivity of <i>p</i>-GaSe Single Crystals
Abdinov A. S., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS
, vol.57, no.2, pp.119-123, 2021 (SCI-Expanded)
2021
2021Photoconductivity in polyethylene-semiconductor (p-GaSe) composite
Babayeva R., Abdinov A. S.
MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS
, vol.717, no.1, pp.40-46, 2021 (SCI-Expanded)
2021
2021Photoelectret effect in polymer-photosensitive semiconductor n-InSe composites
Ziyad D. S., Fikret B. R.
MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS
, vol.717, no.1, pp.47-53, 2021 (SCI-Expanded)
2020
2020Vibrational modes in (TlGaS<sub>2</sub>)<sub><i>x</i></sub>-(TlGaSe<sub>2</sub>)<sub>1-<i>x</i></sub>mixed crystals by Raman measurements: compositional dependence of the mode frequencies and line-shapes
Isik M., TERLEMEZOĞLU BİLMİŞ M., HASANLI N., Babayeva R.
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, vol.31, no.17, pp.14330-14335, 2020 (SCI-Expanded)
2020
2020DOUBLE ELECTRIC LAYER OF A HELIUM DISCHARGE IN MODULATION MODE
Gusejnov T. K., Rasulov E. A., Babaeva R.
RUSSIAN PHYSICS JOURNAL
, vol.62, no.9, pp.1685-1694, 2020 (SCI-Expanded)
2019
2019Temperature-Dependent Photoconductivity of n-InSe Single Crystals
Abdinov A. S., Babaeva R.
Inorganic Materials
, vol.55, no.8, pp.758-764, 2019 (SCI-Expanded)
2019
2019Structural and Optical Properties of Ga<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> Crystals by Spectroscopic Ellipsometry
Guler I., Isik M., HASANLI N., Gasanova L. G., Babayeva R.
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
, vol.48, no.4, pp.2418-2422, 2019 (SCI-Expanded)
2019
2019Electroluminescence of p-GaSe⟨REE⟩ Single Crystals
Abdinov A. S., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS
, vol.55, no.4, pp.325-330, 2019 (SCI-Expanded)
2019
2019Peculiarities of Kinetic Coefficients of Single Crystals of a Layered <i>?</i>-GaSe Semiconductor
Abdinov A. S., Babaeva R.
RUSSIAN PHYSICS JOURNAL
, vol.61, no.9, pp.1667-1673, 2019 (SCI-Expanded)
2018
2018Features of the Electron Mobility in the <i>n</i>-InSe Layered Semiconductor
Abdinov A. S., Babayeva R.
SEMICONDUCTORS
, vol.52, no.13, pp.1662-1668, 2018 (SCI-Expanded)
2016
2016On the specific electrophysical properties of <i>n</i>-InSe single crystals
Abdinov A. S., Babaeva R., Rzaev R., Ragimova N. A., Amirova S. I.
SEMICONDUCTORS
, vol.50, no.1, pp.34-37, 2016 (SCI-Expanded)
2014
2014Effects of temperature and rare-earth doping on the transport properties of GaSe crystals
Abdinov A. S., Babaeva R., Ragimova N. A., Rzaev R., Amirova S. I.
INORGANIC MATERIALS
, vol.50, no.4, pp.334-338, 2014 (SCI-Expanded)
2014
2014Effect of light on the mobility of free carriers in indium-monoselenide crystals
Abdinov A. S., Babayeva R., Amirova S. I., Ragimova N. A., Rzayev R.
SEMICONDUCTORS
, vol.48, no.8, pp.981-985, 2014 (SCI-Expanded)
2013
2013Electric-field effect on the electrical conductivity of InSe and InSeaOE©Dy⟩ crystals
Abdinov A. S., Babaeva R., Gasanov Y. G., Ragimova N. A., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS
, vol.49, no.12, pp.1180-1186, 2013 (SCI-Expanded)
2013
2013Effect of temperature and rare-earth doping on charge-carrier mobility in indium-monoselenide crystals
Abdinov A. S., Babayeva R., Amirova S. I., Rzayev R.
SEMICONDUCTORS
, vol.47, no.8, pp.1013-1017, 2013 (SCI-Expanded)
2012
2012Electric field effect on photoconductivity decay in <i>n</i>-InSe single crystals
Abdinov A. S., Babaeva R., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS
, vol.48, no.8, pp.781-785, 2012 (SCI-Expanded)
2012
2012Temperature dependence of carrier mobility in undoped and gadolinium-doped <i>p</i>-GaSe crystals
Abdinov A. S., Babaeva R., Rzaev R., Amirova S. I.
INORGANIC MATERIALS
, vol.48, no.6, pp.559-562, 2012 (SCI-Expanded)
2012
2012Dependence of carrier mobility on an electric field in gallium selenide crystals
Abdinov A., Babaeva R., Rzayev R.
SEMICONDUCTORS , vol.46, pp.730-735, 2012 (SCI-Expanded)
2009
2009Electrical conductivity of undoped and rare-earth-doped high-resistivity gase crystals
Abdinov A. S., Allakhverdiev S. A., Babaeva R., Rzaev R.
Inorganic Materials
, vol.45, no.7, pp.723-727, 2009 (SCI-Expanded)
2009
2009Electrical conductivity of undoped and rare-earth-doped high-resistivity GaSe crystals
Abdinov A., Allakhverdiev S., Babaeva R., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS , vol.45, pp.723-727, 2009 (SCI-Expanded)
2006
2006Effect of rare-earth doping on the electrical properties of InSe single crystals
Abdinov A. S., Babaeva R., Bagirova A. T., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS , vol.42, pp.937-941, 2006 (SCI-Expanded)
2004
2004Photoluminescence of rare-earth-doped InSe and GaSe single crystals
Abdinov A., Babaeva R., Rzaev R., Gasanov G.
INORGANIC MATERIALS , vol.40, pp.567-569, 2004 (SCI-Expanded)
2004
2004Photoluminescence of rare-earth-doped InSe and GaSe single crystals
Abdinov A. S., Babaeva R., Rzaev R., Gasanov G. A.
Inorganic Materials
, vol.40, no.6, pp.567-569, 2004 (SCI-Expanded)
1999
1999Photoelectric behavior of GaSe single crystals doped with Dy
Abdinov A., BABAYEVA R., Dzhafarov M., Rzayev R., Ragimova N.
INORGANIC MATERIALS
, vol.35, no.4, pp.325-327, 1999 (SCI-Expanded)
1999
1999Photoelectric behavior of GaSe single crystals doped with Dy
Abdinov A., Babaeva R., Dzhafarov M., Rzaev R., Ragimova N.
INORGANIC MATERIALS
, vol.35, pp.325-327, 1999 (SCI-Expanded)
1998
1998Effect of Dy Doping on the Photoelectric Properties of GaSe Single Crystals
Abdinov A., BABAYEVA R., Dzhafarov M., Nurullaev Y., Rzayev R.
Inorganic Materials
, vol.34, no.3, pp.205-206, 1998 (SCI-Expanded)
1998
1998Effect of Dy Doping on the Photoelectric Properties of GaSe Single Crystals
Abdinov A., Babaeva R., Dzhafarov M., Nurullaev Y., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS , vol.34, no.3, pp.205-206, 1998 (SCI-Expanded)
Digər jurnallardakı nəşrlər
2023
2023Relaxation features of own photoconductivity in p-GaSe single crystals
Babayeva R., Abdinov Ə., Əmirova S., Rəhimova N., Rəsulov E.
UNEC Journal of Engineering and Applied Sciences
, vol.3, pp.5-9, 2023 (Scopus)
2021
2021Elements of optoelectronics based on p-gase<er> crystals
Abdinov A., Babayeva R.
International Journal on Technical and Physical Problems of Engineering
, vol.13, no.2, pp.82-86, 2021 (Scopus)
2019
2019Flexible photocells based on layered AIIIBVI semiconductor compounds
Abdinov A. S., Babayeva R.
International Journal on Technical and Physical Problems of Engineering
, vol.11, no.3, pp.23-27, 2019 (Scopus)
2016
2016Photodetectors for UV and visible ranges based on the monogallium selenide crystals
Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rasulov E.
Applied Physics
, vol.2016-January, no.6, pp.72-76, 2016 (Scopus)
2015
2015The IR-radiation receivers on a basis of gallium monoselenide
Abdinov A., Amirova S., Babayeva R., Ragimova N.
Applied Physics
, vol.2015-January, no.5, pp.75-79, 2015 (Scopus)
2014
2014Multifunctional photodetectors based on the n-InSe crystals
Abdinov A., Mehtiyev N., Babayeva R., Rzayev R.
Applied Physics
, no.6, pp.76-80, 2014 (Scopus)
1996
1996Resistivity Oscillations in InSe<Dy> Single Crystals
Abdinov A., BABAYEVA R., Nurullaev Y.
Inorganic Materials
, vol.32, no.12, pp.1265-1266, 1996 (Scopus)
1996
1996Resistivity Oscillations in InSe[removed] Single Crystals
Abdinov A., Babaeva R., Nurullaev Y.
INORGANIC MATERIALS , vol.32, pp.1265-1266, 1996 (Scopus)
1995
1995ACCUMULATION OF WEAK OPTICAL SIGNALS AND SPECTRAL MEMORY IN INSE[DY] SINGLE-CRYSTALS
Abdinov A., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS
, vol.31, pp.822-823, 1995 (Peer-Reviewed Journal)
1995
1995SLOW ISOTHERMAL RELAXATION OF DARK RESISTANCE IN DYSPROSIUM-DOPED INDIUM SELENIDE SINGLE-CRYSTALS
Abdinov A., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS
, vol.31, pp.939-941, 1995 (Peer-Reviewed Journal)
1994
1994TRANSITION RELAXATION OF DARK CURRENT IN PURE AND DOPED INDIUM SELENIDE CRYSTALS
Abdinov A., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS
, vol.30, pp.323-325, 1994 (Peer-Reviewed Journal)
1994
1994AN IMPURITY PHOTOEFFECT IN PARTIALLY DISORDERED INSE CRYSTALS DOPED WITH DY
Abdinov A., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS
, vol.30, pp.820-823, 1994 (Peer-Reviewed Journal)
Referensiya edilmiş Elmi İclaslarda dərc olunmuş məqalələr
2021
2021Photo-e.m.f. at a metal/layered n-InSe semiconductor contact under heating conditions of current carriers by an electric field
Abdinov A., Babayeva R.
International Conference PhysicA.SPb/2021, Saint Petersburg, Russia, 18 - 22 October 2021, vol.2103, (Full Text)
2021
2021Induced electronic phenomena in crystals of p-GaSe semiconductor promising for optoelectronics
Babayeva R.
International Conference PhysicA.SPb/2021, Saint Petersburg, Russia, 18 - 22 October 2021, vol.2103, (Full Text)
2020
2020Thermo-e.m.f. Of hot current carriers in non-doped and doped crystals of a layered semiconductor n-InSe
Abdinov A. S., Babayeva R.
International Conference PhysicA.SPb 2020, Saint Petersburg, Russia, 19 - 23 October 2020, vol.1697, (Full Text)
2019
2019Effect of random macroscopic defects on kinetic phenomena in a layered semiconductor n-InSe with strong electric fields
Abdinov A. S., Babayeva R.
International Conference on PhysicA.SPb, Saint Peter, Guernsey And Alderney, 22 - 24 October 2019, (Full Text)
2018
2018Incommensurate Phase Transition and Electronic Properties of BaMnF<sub>4</sub>
PALAZ S., ŞİMŞEK Ş., KOÇ H., Babayeva R., Mamedov A. M., ÖZBAY E.
5th International Conference on Competitive Materials and Technology Processes (ic-cmtp), Miskolc-Lillafured, Hungary, 8 - 12 October 2018, (Full Text)
2019
2019DEPENDENCE OF PHOTOCONDUCTIVITY ON THE ELECTRICAL FIELD IN n-InSe
Babayeva R.
International Conference on Modern Trends in Physics, Baku, Azerbaijan, 1 - 03 May 2019, pp.20-23, (Full Text)
2019
2019INFLUENCE OF EXTERNAL AND INTRACRYSTALLINE FACTORS ON THE MOBILITY OF CHARGE MEDIA IN n-InSe SINGLE CRYSTALS
Abdinov A. S., Babayeva R.
International Conference on Modern Trends in Physics, Baku, Azerbaijan, 1 - 03 May 2019, pp.24-26, (Full Text)
2017
2017Anomalies of the kinetic phenomena in semiconducting A<SUP>III</SUP>B<SUP>VI</SUP> compounds with a layered crystalline structure
Abdinov A. S., Babayeva R.
International Conference on Modern Trends in Physics, Baku, Azerbaijan, 20 - 22 April 2017, pp.58-60, (Full Text)
2006
2006Photodetectors for visible and near infra-red region with controlled sensitivity on the basis of p-GaSe single crystals doped by rare-earth elements
Abdinov A., Babayeva R., Bagirova A., Rzaev R.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, Moscow, Russia, 23 - 26 May 2006, vol.6636, pp.66360-70612, (Full Text)
2004
2004The effect of doping by rare earth elements on initial and sensibilized IR-photosensitivity of layered indium selenide crystals
Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Eyvazova G.
18th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 25 - 28 May 2004, vol.5834, pp.299-303, (Full Text)
2004
2004Photoelectric properties of isotype heterojunctions n-InSe〈REE〉/ n-CuInSe2 in visible and near IR-region
Abdinov A., BABAYEVA R., Ismayilov R., Eyvazova G.
18th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 25 - 28 May 2004, vol.5834, pp.260-263, (Full Text)
2004
2004Photoelectric properties of isotype heterojunctions n-InSe〈REE〉/ n-CuInSe2 in visible and near IR-region
Abdinov A., Babayeva R., Ismayilov R., Eyvazova G.
18th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 25 - 28 May 2004, vol.5834, pp.260-263, (Full Text)
2004
2004The effect of doping by rare earth elements on initial and sensibilized IR-photosensitivity of layered indium selenide crystals
Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Eyvazova G.
18th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 25 - 28 May 2004, vol.5834, pp.299-303, (Full Text)
2002
2002Sensitization of IR photosensitivity by electrical field in indium selenide layered crystals
Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R., Eyvazova G.
17TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHOTOELECTRONICS AND NIGHT VISION DEVICES, Moscow, Russia, 27 - 31 May 2002, vol.5126, pp.381-385, (Full Text)
2002
2002Sensitization of IR photosensitivity by electrical field in indium selenide layered crystals
Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R., Eyvazova G.
17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 27 - 31 May 2002, vol.5126, pp.381-385, (Full Text)
2002
2002Sensitization of IR photosensitivity by electrical field in indium selenide layered crystals
Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R., Eyvazova G.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, Moscow, Russia, 27 - 31 May 2002, vol.5126, pp.381-385, (Full Text)
2000
2000Photoconductivity of Cd1-xZnxSe films in IR region deposited from solution
Abdinov A. S., Jafarov M. A., Babayeva R., Nasirov E. F., Mamedov H. M.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, Moscow, Russia, 25 - 27 May 2000, vol.4340, pp.112-116, (Full Text)
Kongress və simpozium fəliyyətləri
14 October 2019 - 15 October 2019
14 October 2019 - 15 October 2019