Nəşrlər və əsərlər

Nəşr Şəbəkəsi
SCI, SSCI və AHCI tərəfindən indekslənmiş dərc edilmiş jurnal məqalələri 35

1. Broadband solar photocells based on n-InSe

Abdinov A. S., Babayeva R., Nağıyev T.
International Journal of Modern Physics B , vol.39, no.21, 2025 (SCI-Expanded) identifier

2. Peculiarities of TP-e.m.f. caused by the heating of charge carriers by an electric field in a layered semiconductor n-InSe

Naghiyev T., Babayeva R., Abiyev A. S.
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B , vol.97, no.9, 2024 (SCI-Expanded) identifier identifier

3. Characterization of rare-earth-doped photocells based on p-GaSe/n-InSe heterojunctions

Abdinov A. S., Babayeva R., Aliyev Y. I.
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B , 2024 (SCI-Expanded) identifier identifier

4. Temperature dependence of photoconductivity in layered semiconductor p-GaSe

Naghiyev T., Babayeva R., Aliyev Y.
European Physical Journal B , vol.97, no.6, 2024 (SCI-Expanded) identifier

5. Study of Raman scattering in As-Se chalcogenide glasses by applying of partial pair correlation functions

Alekberov R., Mekhtiyeva S., Babayeva R., Fabian M., Mammadov S.
INDIAN JOURNAL OF PHYSICS , 2024 (SCI-Expanded) identifier identifier

6. Electroluminescence in rare-earth doped n-InSe crystal promising for optoelectronics

Babayeva R., Naghiyev T.
MODERN PHYSICS LETTERS B , vol.37, no.21, 2023 (SCI-Expanded) identifier identifier

7. Photoconductivity of pure and rare-earth doped p-GaSe single crystals

Babayeva R.
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B , vol.37, no.14, 2023 (SCI-Expanded) identifier identifier

8. Extrinsic Photoelectric Effects in Holmium- and Erbium-Doped n-InSe Crystals under Combined Excitation

Abdinov A. S., Babaeva R.
Inorganic Materials , vol.58, no.7, pp.696-700, 2022 (SCI-Expanded) identifier

9. On the Photoconductivity of p-GaSe⟨REE⟩ Layered Semiconductors and a Multiband Photoreceiver of Light on Their Basis

Abdinov A. S., Babayeva R.
SEMICONDUCTORS , vol.56, no.2, pp.39-42, 2022 (SCI-Expanded) identifier identifier

10. Electric-Field-Induced Impurity Effects in p-GaSe Single Crystals

Abdinov A. S., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS , vol.57, no.11, pp.1119-1123, 2021 (SCI-Expanded) identifier identifier

11. Effect of Electric Field on Photoconductivity of p-GaSe Single Crystals

Abdinov A. S., Babayeva R.
RUSSIAN PHYSICS JOURNAL , vol.64, no.2, pp.276-281, 2021 (SCI-Expanded) identifier identifier

12. Effects of Rare-Earth (Gd and Er) Doping and Electric Field on the Photoconductivity of p-GaSe Single Crystals

Abdinov A. S., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS , vol.57, no.2, pp.119-123, 2021 (SCI-Expanded) identifier identifier

13. Photoelectret effect in polymer-photosensitive semiconductor n-InSe composites

Ziyad D. S., Fikret B. R.
MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS , vol.717, no.1, pp.47-53, 2021 (SCI-Expanded) Davamlı İnkişaf identifier identifier

14. Photoconductivity in polyethylene-semiconductor (p-GaSe) composite

Babayeva R., Abdinov A. S.
MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS , vol.717, no.1, pp.40-46, 2021 (SCI-Expanded) identifier identifier

15. Vibrational modes in (TlGaS2)x-(TlGaSe2)1-xmixed crystals by Raman measurements: compositional dependence of the mode frequencies and line-shapes

Isik M., TERLEMEZOĞLU BİLMİŞ M., HASANLI N., Babayeva R.
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS , vol.31, no.17, pp.14330-14335, 2020 (SCI-Expanded) Davamlı İnkişaf identifier identifier

16. DOUBLE ELECTRIC LAYER OF A HELIUM DISCHARGE IN MODULATION MODE

Gusejnov T. K., Rasulov E. A., Babaeva R.
RUSSIAN PHYSICS JOURNAL , vol.62, no.9, pp.1685-1694, 2020 (SCI-Expanded) Davamlı İnkişaf identifier identifier

17. Temperature-Dependent Photoconductivity of n-InSe Single Crystals

Abdinov A. S., Babaeva R.
Inorganic Materials , vol.55, no.8, pp.758-764, 2019 (SCI-Expanded) identifier

18. Structural and Optical Properties of Ga2Se3 Crystals by Spectroscopic Ellipsometry

Guler I., Isik M., HASANLI N., Gasanova L. G., Babayeva R.
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS , vol.48, no.4, pp.2418-2422, 2019 (SCI-Expanded) identifier identifier

19. Electroluminescence of p-GaSe⟨REE⟩ Single Crystals

Abdinov A. S., Babaeva R.
INORGANIC MATERIALS , vol.55, no.4, pp.325-330, 2019 (SCI-Expanded) identifier identifier

20. Peculiarities of Kinetic Coefficients of Single Crystals of a Layered ?-GaSe Semiconductor

Abdinov A. S., Babaeva R.
RUSSIAN PHYSICS JOURNAL , vol.61, no.9, pp.1667-1673, 2019 (SCI-Expanded) identifier identifier

21. Features of the Electron Mobility in the n-InSe Layered Semiconductor

Abdinov A. S., Babayeva R.
SEMICONDUCTORS , vol.52, no.13, pp.1662-1668, 2018 (SCI-Expanded) identifier identifier

22. On the specific electrophysical properties of n-InSe single crystals

Abdinov A. S., Babaeva R., Rzaev R., Ragimova N. A., Amirova S. I.
SEMICONDUCTORS , vol.50, no.1, pp.34-37, 2016 (SCI-Expanded) identifier identifier

23. Effect of light on the mobility of free carriers in indium-monoselenide crystals

Abdinov A. S., Babayeva R., Amirova S. I., Ragimova N. A., Rzayev R.
SEMICONDUCTORS , vol.48, no.8, pp.981-985, 2014 (SCI-Expanded) identifier identifier

24. Effects of temperature and rare-earth doping on the transport properties of GaSe crystals

Abdinov A. S., Babaeva R., Ragimova N. A., Rzaev R., Amirova S. I.
INORGANIC MATERIALS , vol.50, no.4, pp.334-338, 2014 (SCI-Expanded) identifier identifier

25. Electric-field effect on the electrical conductivity of InSe and InSeaOE©Dy⟩ crystals

Abdinov A. S., Babaeva R., Gasanov Y. G., Ragimova N. A., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS , vol.49, no.12, pp.1180-1186, 2013 (SCI-Expanded) identifier identifier

26. Effect of temperature and rare-earth doping on charge-carrier mobility in indium-monoselenide crystals

Abdinov A. S., Babayeva R., Amirova S. I., Rzayev R.
SEMICONDUCTORS , vol.47, no.8, pp.1013-1017, 2013 (SCI-Expanded) Davamlı İnkişaf identifier identifier

27. Electric field effect on photoconductivity decay in n-InSe single crystals

Abdinov A. S., Babaeva R., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS , vol.48, no.8, pp.781-785, 2012 (SCI-Expanded) identifier identifier

28. Temperature dependence of carrier mobility in undoped and gadolinium-doped p-GaSe crystals

Abdinov A. S., Babaeva R., Rzaev R., Amirova S. I.
INORGANIC MATERIALS , vol.48, no.6, pp.559-562, 2012 (SCI-Expanded) identifier identifier

29. Dependence of carrier mobility on an electric field in gallium selenide crystals

Abdinov A., Babaeva R., Rzayev R.
SEMICONDUCTORS , vol.46, pp.730-735, 2012 (SCI-Expanded)

30. Electrical conductivity of undoped and rare-earth-doped high-resistivity GaSe crystals

Abdinov A., Allakhverdiev S., Babaeva R., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS , vol.45, pp.723-727, 2009 (SCI-Expanded) identifier

31. Electrical conductivity of undoped and rare-earth-doped high-resistivity gase crystals

Abdinov A. S., Allakhverdiev S. A., Babaeva R., Rzaev R.
Inorganic Materials , vol.45, no.7, pp.723-727, 2009 (SCI-Expanded) identifier

32. Effect of rare-earth doping on the electrical properties of InSe single crystals

Abdinov A. S., Babaeva R., Bagirova A. T., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS , vol.42, pp.937-941, 2006 (SCI-Expanded)

33. Photoluminescence of rare-earth-doped InSe and GaSe single crystals

Abdinov A. S., Babaeva R., Rzaev R., Gasanov G. A.
Inorganic Materials , vol.40, no.6, pp.567-569, 2004 (SCI-Expanded) identifier

34. Photoelectric behavior of GaSe single crystals doped with Dy

Abdinov A., Babaeva R., Dzhafarov M., Rzaev R., Ragimova N.
INORGANIC MATERIALS , vol.35, pp.325-327, 1999 (SCI-Expanded) identifier

35. Effect of Dy Doping on the Photoelectric Properties of GaSe Single Crystals

Abdinov A., Babaeva R., Dzhafarov M., Nurullaev Y., Rzaev R.
INORGANIC MATERIALS , vol.34, no.3, pp.205-206, 1998 (SCI-Expanded) identifier
Digər jurnallardakı nəşrlər 103

1. Study of the properties of electro-physical parameters in spatially incoherent crystal semiconductors on the example of layered AIIIBVI semiconductor compound crystals

Abdinov A. S., Babayeva R., Amirova S., Rahimova N., Rasulov E.
UNEC Journal of Engineering and Applied Sciences , vol.5, no.1, pp.55-62, 2025 (Scopus) identifier

2. Relaxation features of own photoconductivity in p-GaSe single crystals

Babayeva R., Abdinov A. S., Əmirova S., Rəhimova N., Rəsulov E.
UNEC Journal of Engineering and Applied Sciences , vol.3, pp.5-9, 2023 (Scopus) Creative Commons License

3. p-GaSe/n-InSe anizotip heterokeçidlərinin parametr və xarakteristikalarının yaxşılaşdırılmasının mümkünlüyü haqqında

Abdinov Ə., Babayeva R., Əmirova S., Rəhimova N., Rəsulov E.
AJP FİZİKA , vol.1, no.1, pp.57-60, 2022 (Peer-Reviewed Journal)

4. Обусловленные комбинированным возбуждением примесные фотоэлектрические явления в кристаллах n-InSe, легированных гольмием и эрбием

Abdinov A., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.58, no.7, pp.722-726, 2022 (Peer-Reviewed Journal)

5. Фотопроводимость монокристаллов слоистого полупроводника p-GaSe, легированного редкоземельными элементами и многодиапазонный фотоприемник света на их основе

Abdinov A., Babayeva R.
Физика и техника полупроводников , vol.56, no.5, pp.458-462, 2022 (Peer-Reviewed Journal)

6. Индуцированные электрическим полем примесныe явления в монокристаллах р-GaSe

Abdinov A., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.57, no.11, pp.1185-1189, 2021 (Peer-Reviewed Journal)

7. The possibility of increasing the reproductivity and stability of the characteristics of n-InSe/p-GaSe heterostructures

Babayeva R., Abdinov Ə., Rəhimova N., Əmirova S., Rəsulov E.
UNEC Journal of Engineering and Applied Sciences , vol.1, pp.22-26, 2021 (Scopus) Creative Commons License identifier

8. Elements of optoelectronics based on p-gase crystals

Abdinov A., Babayeva R.
International Journal on Technical and Physical Problems of Engineering , vol.13, no.2, pp.82-86, 2021 (Scopus) identifier

9. Влияние легирования Gd и Er и электрического поля на фотопроводимость монокристаллов р-GaSe

Abdinov A., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.57, no.2, pp.125-129, 2021 (Peer-Reviewed Journal)

10. Влияние электрического поля на фотопроводимость в монокристаллах р-GaSe

Abdinov A., Babayeva R.
Известия высших учебных заведений. Физика. , vol.64, no.2, pp.76-81, 2021 (Peer-Reviewed Journal)

11. Aşqarlanmış n-InSe kristalları əsasında infraqırmızı fotoqəbuledicilər

Abdinov Ə., Babayeva R., Əmirova S., Rəhimova N., Rəsulov E.
Bakı Universitetinin Xəbərləri, fizika-riyaziyyat elmləri seriyası , vol.2, no.2, pp.57-64, 2020 (Peer-Reviewed Journal)

12. Flexible photocells based on layered AIIIBVI semiconductor compounds

Abdinov A., Babayeva R.
International Journal on Technical and Physical Problems of Engineering (IJTPE) , vol.40, no.3, pp.23-27, 2019 (Peer-Reviewed Journal)

13. Flexible photocells based on layered AIIIBVI semiconductor compounds

Abdinov A. S., Babayeva R.
International Journal on Technical and Physical Problems of Engineering , vol.11, no.3, pp.23-27, 2019 (Scopus) identifier

14. Двойной электрический слой гелиевого разряда в режиме модуляцииДвойной электрический слой гелиевого разряда в режиме модуляции

Guseynov T., Babayeva R., Rasulov E.
Изв. вузов. Физика , vol.62, no.9, pp.132-138, 2019 (Peer-Reviewed Journal)

15. Температурная зависимость фотопроводимости монокристаллов n-InSe

Abdinov A., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.55, no.8, pp.806-812, 2019 (Peer-Reviewed Journal)

16. Особенности электрофизических параметров и влияние легирования тяжелыми лантанидами на них в слоистых полупроводниках АIIIВVI

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rasulov E.
Вестник Бакинского Университета, Серия физико-математических наук. , vol.62, no.9, pp.134-143, 2019 (Peer-Reviewed Journal)

17. Электролюминесценция монокристаллов p-GaSe〈РЗЭ〉

Abdinov A., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.55, no.4, pp.355-360, 2019 (Peer-Reviewed Journal)

18. О фотопроводимости монокристаллов n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rasulov E.
Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. и техн. наук, физика и астрономия , vol.39, no.2, pp.39-44, 2019 (Peer-Reviewed Journal)

19. n-InSe kristallarında elektrolüminessensiyanın parlaqlıq xarakteristikalarına lantanid aşqarlarının təsiri

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rasulov E.
AJP Fizika , vol.25, no.1, pp.7-10, 2019 (Peer-Reviewed Journal)

20. INFLUENCE OF EXTERNAL AND INTRACRYSTALLINE FACTORS ON THE MOBILITY OF CHARGE MEDIA IN n-InSe SINGLE CRYSTALS

Abdinov A. S., Babayeva R.
Modern Trends in Physics , vol.1, no.1, pp.17-20, 2019 (Scopus)

21. DEPENDENCE OF PHOTOCONDUCTIVITY ON THE ELECTRICAL FIELD IN n-InSe

Babayeva R.
Modern Trends in Physics , vol.1, no.1, pp.20-23, 2019 (Scopus)

22. Особенности подвижности электронов в слоистом полупроводнике n-InSe

Abdinov A., Babayeva R.
Физика и техника полупроводников , vol.52, no.13, pp.1563-1569, 2018 (Peer-Reviewed Journal)

23. Особенности кинетических коэффициентов монокристаллов слоистого полупроводника p-GaSe

Abdinov A., Babayeva R.
Известия высших учебных заведений. Физика , vol.61, no.9, pp.102-107, 2018 (Peer-Reviewed Journal)

24. Перспективные для опто- и фотоэлектроники гетероструктуры p-GaSeEr>/n-InSeEr>

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rasulov E., Amirova S.
Известия НАНА. серия физ.-тех. и математических наук. Физика и астрономия , vol.38, no.2, pp.23-29, 2018 (Peer-Reviewed Journal)

25. К вопросу об аномалиях электрофизических параметров в слоистых моноселенидах полупроводниковых соединений AIIIBVI

Abdinov A., Babayeva R.
Azerbaijan Journal of Physics (AJP). Fizika (Az.). , vol.24, no.3, pp.3-4, 2018 (Peer-Reviewed Journal)

26. Anomalies of the induced impurity photoconductivity in gallium monoselenide crys-tals

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N., Amirova S.
Azerbaijan journal of Physics , vol.18, no.1, pp.25-30, 2018 (Peer-Reviewed Journal)

27. Qadoliniumla aşqarlanmiş indium monoselenidi kristallarinda injeksiya cərəyanları

Abdinov A., Babayeva R.
AJP FİZİKA , vol.23, no.4, pp.7-12, 2017 (Peer-Reviewed Journal)

28. Photoconductivity of indium monoselenide crystals ion strong electric fields

Abdinov A., Babayeva R.
AJP Fizika (En). , vol.23, no.3, pp.27-30, 2017 (Peer-Reviewed Journal)

29. Об особенностях спектра собственной фотопроводимости в кристаллах моноселенида индия.

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rasulov E.
Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. и техн. наук, физика и астрономия, , vol.37, no.2, pp.43-48, 2017 (Peer-Reviewed Journal)

30. Светопереключатели с управляемыми параметрами на основе монокристаллов n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Rasulov E.
Вестник Бакинского Университета, Серия физико-математических наук , vol.1, no.1, pp.147-154, 2017 (Peer-Reviewed Journal)

31. Basic parameters and characteristics of anisotype p-GaSeHo>/n-InSeHo> heterostructures

Abdinov A., Babayeva R.
Journal of Baku Engineering University. Physics , vol.1, no.2, pp.134-140, 2017 (Peer-Reviewed Journal)

32. Anomalies of the kinetic phenomena in semiconducting A(III)B(VI) compounds with a layered crystalline structure

Abdinov A. S., Babayeva R.
Modern Trends in Physics , vol.1, no.1, pp.58-60, 2017 (Scopus)

33. Фотоприемники для ультрафиолетового и видимого диапазонов на основе кристаллов моноселенида галлия

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rasulov E.
Прикладная физика , vol.6, no.6, pp.72-76, 2016 (Peer-Reviewed Journal)

34. Effect of Various External and Internal Factors on the Carrier Mobility in n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rasulov E., Amirova S.
International Journal of Engineering and Science , vol.6, no.11, pp.1-4, 2016 (Peer-Reviewed Journal)

35. On the charge transfer in layered semiconductor indium selenide

Abdinov A., Babayeva R., Rasulov E.
Azerbaijan Journal of Physics , vol.22, no.3, pp.16-19, 2016 (Peer-Reviewed Journal)

36. Heterostructures with controlled characteristics based on layered monoselenides of АIIIВVI compounds

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rasulov E.
Journal of Qafqaz University – Physics , vol.4, no.1, pp.27-33, 2016 (Peer-Reviewed Journal)

37. К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N., Amirova S.
Физика и техника полупроводников , vol.50, no.1, pp.35-38, 2016 (Peer-Reviewed Journal)

38. О некоторых аномалиях электронных свойств монокристаллов n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Mehtiyev N.
Вестник Бакинского Университета, Серия физико-математических наук , vol.1, no.1, pp.127-131, 2016 (Peer-Reviewed Journal)

39. Properties of the relaxation processes in photoresistors based on ZnIn2Se4 type anisotropic crystals

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Mehtiyev N.
Journal of Qafqaz University – Physics , vol.4, no.1, pp.3-8, 2016 (Peer-Reviewed Journal)

40. Photodetectors for UV and visible ranges based on the monogallium selenide crystals

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rasulov E.
Applied Physics , vol.2016-January, no.6, pp.72-76, 2016 (Scopus) identifier

41. On the effect of electric field on photoconductivity in InSe single crystals

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Amirova S.
International Journal of advanced research , vol.3, no.10, pp.593-598, 2015 (Peer-Reviewed Journal)

42. О специфическом влиянии температуры и легирования на электрофизические параметры монокристаллов селенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N., Amirova S.
Journal of Qafqaz University. Physics. , vol.3, no.1, pp.41-48, 2015 (Peer-Reviewed Journal)

43. Специфические особенности собственной фотопроводимости кристаллов моноселенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Rasulov E.
Вестник Бакинского Университета, серия физико-математических наук , vol.1, no.1, pp.129-136, 2015 (Peer-Reviewed Journal)

44. The IR-radiation receivers on a basis of gallium monoselenide

Abdinov A., Amirova S., Babayeva R., Ragimova N.
Applied Physics , vol.2015-January, no.5, pp.75-79, 2015 (Scopus) identifier

45. Влияние света на подвижность свободных носителей заряда в кристаллах моноселенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N., Amirova S.
Физика и техника полупроводников , vol.48, no.8, pp.1009-1013, 2014 (Peer-Reviewed Journal)

46. Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов InSe

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Прикладная физика , vol.6, no.6, pp.76-80, 2014 (Peer-Reviewed Journal)

47. Влияние температуры и легирования редкоземельными элементами на электрофизические параметры кристаллов моноселенида галлия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N., Amirova S.
Неорганические материалы , vol.50, no.4, pp.362-367, 2014 (Peer-Reviewed Journal)

48. The IR quenching of negative and intrinsic photoconductivity in p-GaSe crystals

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N.
Journal of Qafqaz University. Physics , vol.2, no.2, pp.130-135, 2014 (Peer-Reviewed Journal)

49. Multifunctional photodetectors based on the n-InSe crystals

Abdinov A., Mehtiyev N., Babayeva R., Rzayev R.
Applied Physics , no.6, pp.76-80, 2014 (Scopus) identifier

50. Влияние электрического поля на электропроводность чистых и легированных атомами диспрозия кристаллов моноселенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N.
Неорганические материалы , vol.49, no.12, pp.1277-1284, 2013 (Peer-Reviewed Journal)

51. Влияние температуры и легирования редкоземельными элементами на подвижность носителей тока в кристаллах моноселенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Rzayev R.
Физика и техника полупроводников , vol.47, no.8, pp.1009-1013, 2013 (Peer-Reviewed Journal)

52. К вопросу об особенностях собственной фотопроводимости кристаллов моноселенида галлия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N., Amirova S.
Journal of Qafqaz University – physics , vol.1, no.1, pp.16-27, 2013 (Peer-Reviewed Journal)

53. Влияние электрического поля на кинетику фотопроводимости монокристаллов n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Неорганические материалы , vol.48, no.8, pp.892-896, 2012 (Peer-Reviewed Journal)

54. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в чистых и легированных гадолинием кристаллах p-GaSe

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Amirova S.
Неорганические материалы , vol.48, no.6, pp.649-653, 2012 (Peer-Reviewed Journal)

55. К вопросу о зависимости подвижности носителей тока от электрического поля в кристаллах моноселенида галлия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Физика и техника полупроводников , vol.46, no.1, pp.751-755, 2012 (Peer-Reviewed Journal)

56. Anomalies of the induced impurity photoconductivity in gallium monoselenide crystals

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Gasanov Y., Amirova S., Ragimova N.
Azerbaijan journal of Physics , vol.18, no.1, pp.25-30, 2012 (Peer-Reviewed Journal)

57. Особенности индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах моноселенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. и техн. наук, физика и астрономия , vol.31, no.1, pp.59-66, 2011 (Peer-Reviewed Journal)

58. К вопросу о механизме индуцированной примесной фотопроводимости в моноселенидах АIIIBVI со слоистой структурой

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Bakı Universitetinin xəbərləri , vol.3, no.1, pp.78-88, 2011 (Peer-Reviewed Journal)

59. Effect of the light on charge carriers mobility in gallium monoselenide crystals

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Azerbaijan journal of Physics , vol.17, no.1, pp.51-56, 2011 (Peer-Reviewed Journal)

60. К вопросу о фотопроводимости кристаллов моноселенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Bakı Universitetinin xəbərləri , vol.2, no.1, pp.89-98, 2011 (Peer-Reviewed Journal)

61. Long-term relaxation effects in gallium monoselenide doped by holmium and gadolinium

Abdinov A., Babayeva R.
Azerbaijan Journal of Physics , vol.16, no.1, pp.289-291, 2010 (Peer-Reviewed Journal)

62. Lantanoidlərlə aşqarlanmış AIIIBVI birləşmələri tipli laylı quruluşlu qismən nizamsız kristallarda elektrolüminessensiyanın xüsusiyyətləri.

Abdinov A., Babayeva R.
Bakı Universitetinin xəbərləri , vol.1, no.1, pp.121-130, 2010 (Peer-Reviewed Journal)

63. Проводимость высокоомных чистых и легированных РЗЭ кристаллов GaSe

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Неорганические материалы , vol.45, no.7, pp.785-789, 2009 (Peer-Reviewed Journal)

64. Lantanoidlərlə aşqarlanmış AIIIBVI kristalları əsasındakı heterokeçidlərdə elektron proseslərinin xüsusiyyətləri.

Babayeva R.
Fizika , vol.1, no.1, pp.81-85, 2009 (Peer-Reviewed Journal)

65. Об электрической утомляемости кристаллов селенида галлия.

Babayeva R.
Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. и техн. наук, физика и астрономия , vol.29, no.1, pp.202-205, 2009 (Peer-Reviewed Journal)

66. Laylı AIIIBVI monoselenidlərində və onların əsasındakı heterostrukturlarda çeviricilik effekti

Abdinov A., Babayeva R.
Bakı Universitetinin xəbərləri , vol.3, no.1, pp.139-147, 2009 (Peer-Reviewed Journal)

67. К вопросу о кинетике темновoго тока в частично-неупорядоченных кристаллах типа соединений АIIIBVI со слоистой структурой.

Babayeva R.
Вестник Бакинского Университета, серия физико-математических наук , vol.1, no.1, pp.140-146, 2009 (Peer-Reviewed Journal)

68. Qallium və indium monoselenidlərində fotokeçiricilik və elektrolüminessensiynın bəzi xüsusiyyətləri

Babayeva R.
Fizika , vol.1, no.1, pp.58-60, 2009 (Peer-Reviewed Journal)

69. Влияние легирования редкоземельными элементами на эффекты стационаризации темнового тока и электрической утомляемости в кристаллах p-GaSe

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Изв. НАН Азербайджана, серия физ.-мат. наук , vol.28, no.1, pp.125-129, 2008 (Peer-Reviewed Journal)

70. К вопросу об эффекте оптической утомляемости в легированных лантаноидами кристаллах p-GaSe

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Fizika , vol.14, no.1, pp.68-69, 2008 (Peer-Reviewed Journal)

71. Электрические и люминесцентные неустойчивости в легированных редкоземельными элементами кристаллах моноселенидов А3В6 со слоистой структурой.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Fizika , vol.13, no.1, pp.136-138, 2007 (Peer-Reviewed Journal)

72. Электрические и емкостные характеристики солнечных фотопреобразователей на основе анизотипных гетероструктур p-GaSeРЗЭ>/n-InSeРЗЭ>.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Проблемы энергетики , vol.1, no.1, pp.59-63, 2007 (Peer-Reviewed Journal)

73. Фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSeРЗЭ>/n-CuInSe2 в видимой и ближней ИК-области.

Abdinov A., Babayeva R.
Прикладная физика , vol.1, no.1, pp.107-110, 2007 (Peer-Reviewed Journal)

74. Влияние легирования редкоземельными элементами на некоторые электрические свойства монокристаллов InSe

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Неорганические материалы , vol.42, no.1, pp.1035-1039, 2006 (Peer-Reviewed Journal)

75. Влияние легирования редкоземельными элементами на исходную и сенсибилизированную ИК-фоточувствительность слоистых кристаллов селенида индия.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Прикладная физика , vol.2, no.1, pp.62-66, 2006 (Peer-Reviewed Journal)

76. Электрические неустойчивости в легированных редкоземельными элементами монокристаллах селенида галлия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Известия АН Азербайджана , vol.26, no.1, pp.70-74, 2006 (Peer-Reviewed Journal)

77. Фотопроводимость эффективного материала для солнечной энергетики и оптоэлектроники p-GaSe, легированного редкоземельными элементами

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Проблемы энергетики , vol.3, no.1, pp.72-76, 2006 (Peer-Reviewed Journal)

78. Electroluminescence of layered monocrystals of А3В6RE>

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Fizika , vol.12, no.1, pp.8-10, 2006 (Peer-Reviewed Journal)

79. Особенности электрических неустойчивостей в монокристаллах селенида индия, легированных редкоземельными элементами.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Известия АН Азербайджана , vol.25, no.1, pp.73-77, 2005 (Peer-Reviewed Journal)

80. Фотолюминесценция монокристаллов InSe и GaSe, легированных редкоземельными элементами

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Неорганические материалы , vol.40, no.6, pp.660-662, 2004 (Peer-Reviewed Journal)

81. Сенсибилизация ИК-фоточувствительности в слоистых кристаллах типа соединений селенида индия электрическим полем

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R.
Прикладная физика , vol.5, no.1, pp.81-85, 2004 (Peer-Reviewed Journal)

82. Особенности вольтамперной характеристики в легированных редкоземельными элементами монокристаллах селенида индия.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Известия АН Азербайджана , vol.24, no.1, pp.75-80, 2004 (Peer-Reviewed Journal)

83. К вопросу о механизме влияния легирования редкоземельными элементами на фотолюминесценцию монокристаллов соединений А3В6 со слоистой структурой

Abdinov A., Babayeva R.
Прикладная физика , vol.5, no.1, pp.74-78, 2004 (Peer-Reviewed Journal)

84. Электрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSeРЗЭ>/n-CuInSe2

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Проблемы энергетики , vol.2, no.1, pp.37-44, 2004 (Peer-Reviewed Journal)

85. Фотолюминесценция легированных диспрозием монокристаллов селенида индия и галлия.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Известия АН Азербайджана , vol.23, no.1, pp.143-147, 2003 (Peer-Reviewed Journal)

86. К вопросу о возможности повышения воспроизводимости параметров и характеристик солнечных преобразователей на основе слоистых кристаллов соединений А3В6.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Проблемы энергетики , vol.3, no.1, pp.83-87, 2003 (Peer-Reviewed Journal)

87. К вопросу о фотопроводимости, перспективных для солнечной энергетики монокристаллов InSe:Dy.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
Проблемы энергетики , vol.1, no.1, pp.66-72, 2001 (Peer-Reviewed Journal)

88. Фотопроводимость осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe в ИК-области

Abdinov A., Babayeva R., Dzhafarov M., Mamedov H.
Прикладная физика , vol.6, pp.56-62, 2000 (Peer-Reviewed Journal)

89. Влияние легирования диспрозием на фотоэлектрические свойства монокристаллов селенида галлия

Abdinov A., Babayeva R., Dzhafarov M., Rzayev R., Ragimova N.
Неорганические материалы , vol.35, no.4, pp.410-412, 1999 (Peer-Reviewed Journal)

90. Фотолюминесценция монокристаллов InSe:Dy.

Abdinov A., Babayeva R.
Доклады АН Азербайджана , vol.50, no.1, pp.51-53, 1998 (Peer-Reviewed Journal)

91. Собственные дефекты и примеси диспрозия в монокристаллах GaSe

Abdinov A., Babayeva R., Dzhafarov M., Nurullayev Y., Rzayev R.
Неорганические материалы , vol.34, no.3, pp.271-273, 1998 (Peer-Reviewed Journal)

92. Об осцилляции проводимости в монокристаллах InSeDy>.

Abdinov A., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.32, no.12, pp.1446-1448, 1996 (Peer-Reviewed Journal)

93. Resistivity Oscillations in InSe Single Crystals

Abdinov A., BABAYEVA R., Nurullaev Y.
Inorganic Materials , vol.32, no.12, pp.1265-1266, 1996 (Scopus) identifier identifier

94. Resistivity Oscillations in InSe[removed] Single Crystals

Abdinov A., Babaeva R., Nurullaev Y.
INORGANIC MATERIALS , vol.32, pp.1265-1266, 1996 (Scopus)

95. Долговременная изотермическая релаксация темнового электросопротивления монокристаллов селенида индия, легированного диспрозием

Abdinov A., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.31, no.8, pp.1020-1022, 1995 (Peer-Reviewed Journal)

96. Накопление памяти слабых световых сигналов и спектральная память в монокристаллах InSeDy>.

Abdinov A., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.31, no.7, pp.896-898, 1995 (Peer-Reviewed Journal)

97. SLOW ISOTHERMAL RELAXATION OF DARK RESISTANCE IN DYSPROSIUM-DOPED INDIUM SELENIDE SINGLE-CRYSTALS

Abdinov A., Babayeva R.
INORGANIC MATERIALS , vol.31, pp.939-941, 1995 (Peer-Reviewed Journal) identifier

98. ACCUMULATION OF WEAK OPTICAL SIGNALS AND SPECTRAL MEMORY IN INSE[DY] SINGLE-CRYSTALS

Abdinov A., Babayeva R.
INORGANIC MATERIALS , vol.31, pp.822-823, 1995 (Peer-Reviewed Journal) identifier

99. Примесный фотоэффект в частично-неупорядоченных кристаллах InSe, легированного Dy.

Abdinov A., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.30, no.7, pp.883-886, 1994 (Peer-Reviewed Journal)

100. «Переходная» релаксация темнового тока в чистых и легированных кристаллах селенида индия.

Abdinov А., Babayeva R.
Неорганические материалы , vol.30, no.3, pp.339-341, 1994 (Peer-Reviewed Journal)

101. TRANSITION RELAXATION OF DARK CURRENT IN PURE AND DOPED INDIUM SELENIDE CRYSTALS

Abdinov A. S., Babayeva R.
INORGANIC MATERIALS , vol.30, pp.323-325, 1994 (Peer-Reviewed Journal) identifier

102. AN IMPURITY PHOTOEFFECT IN PARTIALLY DISORDERED INSE CRYSTALS DOPED WITH DY

Abdinov A. S., Babayeva R.
INORGANIC MATERIALS , vol.30, pp.820-823, 1994 (Peer-Reviewed Journal) identifier

103. Низкочастотные колебания тока в монокристаллах CdxHg1-xTe с х>0.65

Abdinov A., Babayeva R., Nurullayev Y.
Доклады АН Азербайджана , vol.48, no.1, pp.33-37, 1993 (Peer-Reviewed Journal)
Referensiya edilmiş Elmi İclaslarda dərc olunmuş məqalələr 126

1. Об особенностях влиянии дефектов на электрофизические параметры в монокристаллах n-CdxHg1-xTe (0.50≤x≤0.95)

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rasulov E.
Ümummilli lider Heydər Əliyevin anadan olmasının 102-ci ildönümünə həsr olunmuş “Təbiət və sosial elmlər sahəsində qlobal çağırışlar” mövzusunda Beynəlxalq elmi konfrans, Ganca, Azerbaijan, 23 - 24 May 2025, vol.5, no.5, pp.79-82, (Full Text)

2. A new photovoltaic powered electrolysis unit for production of hydrogen from fresh and seawater: Prototype Design

Mehrabov Ə., Mehrabova M., Rzayev R., Babayeva R.
8-th Int. Symposium on Materials for Energy Storage and Conversion, Baku, Azerbaijan, 7 - 10 October 2024, vol.1, no.1, pp.72-73, (Full Text)

3. Definition of Electric Parameters of Re/n-GaAs Schottky Diode Using I–V Measurements

Afandiyeva I., Babayeva R.
8th Intern Conf. Modern Trends in Physics, dedicated to the 100th anniversary of national Leader Heydar Aliyev, Baku, Azerbaijan, 30 November - 01 December 2023, vol.1, no.1, pp.150, (Summary Text)

4. The Temperature Dependent Dielectrical Properties of PtSi/n-Si Schottky Diodes

Afandiyeva I., Babayeva R.
8th Intern Conf. Modern Trends in Physics, dedicated to the 100th anniversary of national Leader Heydar Aliyev, Baku, Azerbaijan, 30 November - 01 December 2023, vol.1, no.1, pp.111, (Summary Text)

5. Влияние легирования РЗЭ на роль случайных макроскопических дефектов в характеристиках гетеропереходов р-GaSe/n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rasulov E.
конференция ФизикА.СПб/2023 , Sankt-Peterburg, Russia, 23 - 27 October 2023, vol.1, no.1, pp.432-433, (Summary Text)

6. Многофункциональный оптоэлектронный элемент на основе слоистого полупроводника n-InSe

Babayeva R.
конференция ФизикА.СПб/ 2023 , Sankt-Peterburg, Russia, 23 - 27 October 2023, vol.1, no.1, pp.344-345, (Summary Text)

7. Термо-фотоэдс горячих носителей тока в чистых и легированных РЗЭ кристаллах слоистого полупроводника n-InSе

Abdinov A., Babayeva R.
ФизикА.СПб/2022, Sankt-Peterburg, Russia, 17 - 21 October 2022, vol.1, no.1, pp.355-356, (Summary Text)

8. Электролюменесценция в кристаллах перспективного для оптоэлектроники полупроводника n-InSeРЗЭ>

Babayeva R.
ФизикА.СПб/2022, Sankt-Peterburg, Russia, 17 - 21 October 2022, vol.1, no.1, pp.273-275, (Summary Text)

9. Temperature Dependence of Characteristics of Photoresistors Based on n-InSe Single Crystals

Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rasulov E.
4-th International Conference on İnnovations in Natural Science and Engineering, Baku, Azerbaijan, 26 - 29 October 2022, vol.1, no.1, pp.95, (Summary Text)

10. Фотоприемники ИК-излучения на основе легированных РЗЭ кристаллов слоистого полупроводника n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rasulov E.
XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения , Moscow, Russia, 25 - 27 May 2022, vol.1, no.1, pp.430-431, (Summary Text)

11. The Potential Barrier Height and Profile of Surface States of Re/n-GaAs Schottky Barrier Diode

Afandiyeva I., Babayeva R.
7 International Conference MTP-2021: Modern Trends in Physics, Baku, Azerbaijan, 15 - 17 December 2021, vol.2, no.2, pp.97-103, (Full Text)

12. Temperature and Surface States Influence on the Identifying of Schottky Diode Parameters

Afandiyeva I., Babayeva R.
7 International Conference MTP-2021: Modern Trends in Physics, Baku, Azerbaijan, 15 - 17 December 2021, vol.2, no.2, pp.148-154, (Full Text)

13. Induced electronic phenomena in crystals of p-GaSe semiconductor promising for optoelectronics

Babayeva R.
International Conference PhysicA.SPb/2021, Saint Petersburg, Russia, 18 - 22 October 2021, vol.2103, (Full Text) identifier

14. Photo-e.m.f. at a metal/layered n-InSe semiconductor contact under heating conditions of current carriers by an electric field

Abdinov A., Babayeva R.
International Conference PhysicA.SPb/2021, Saint Petersburg, Russia, 18 - 22 October 2021, vol.2103, (Full Text) identifier

15. Индуцированные электронные явления в кристаллах перспективного для оптоэлектроники полупроводника p-GaSe

Babayeva R.
ФизикА.СПб/2021, Sankt-Peterburg, Russia, 18 - 21 October 2021, vol.1, no.1, pp.337-338, (Summary Text)

16. Фото э.д.с. на контакте металл/слоистый полупроводник n-InSe при условиях разогрева носителей тока электрическим полем

Abdinov A., Babayeva R.
ФизикА.СПб/2021, Sankt-Peterburg, Russia, 18 - 22 October 2021, vol.1, no.1, pp.415-416, (Summary Text)

17. New type of alternative current source based on scotty diode with additional electric field

Mamedov R., Babayeva R., Aslanova A.
1-st International Symposium on Recent Advances in Fundamental and Applied Sciences (ISFAS-2021). , Erzurum, Turkey, 10 - 12 September 2021, vol.1, no.1, pp.49, (Summary Text)

18. Laylı quruluşlu n-InSe kristallarında induksiyalanmış aşqar fotokeçiricilik və onun optoelektronikada tətbiq imkanları

Babayeva R.
“Heydər Əliyev və Azərbaycanda iqtisadi islahatlar: nəticələr və perspektivlər” mövzusunda Ümummilli Lider H. Əliyevin anadan olmasının 98-ci ildönümünə həsr olunmuş Respublika elmi-praktiki konfransı, Baku, Azerbaijan, 7 - 08 May 2021, vol.1, no.1, pp.382-388, (Full Text)

19. Dimension dependence of the I-V characteristic of illuminated Au-n-GaAs Schottky diodes with an additional electric field

Mamedov R., Babayeva R., Aslanova A.
2nd International Conference on Light and Light-Based Technologies, Ankara, Turkey, 26 - 28 May 2021, vol.3, no.3, pp.65, (Summary Text)

20. Thermo-e.m.f. Of hot current carriers in non-doped and doped crystals of a layered semiconductor n-InSe

Abdinov A. S., Babayeva R.
International Conference PhysicA.SPb 2020, Saint Petersburg, Russia, 19 - 23 October 2020, vol.1697, (Full Text) identifier

21. Multifunctional optoelectronic element based on a semiconductor of gallium monoselenide

Abdinov A., Babayeva R.
The 16th International Conference on “Technical and Physical Problems of Engineering” , İstanbul, Turkey, 12 - 13 October 2020, vol.1, no.33, pp.57-60, (Full Text)

22. Термоэдс горячих носителей тока в нелегированных и легированных кристаллах слоистого полупроводника n-InSe.

Abdinov A., Babayeva R.
ФизикА.СПб./2020, Sankt-Peterburg, Russia, 19 - 23 October 2020, vol.1, no.1, pp.354-355, (Summary Text)

23. Photoconductivity in polyethylene-semiconductor (p-GaSe) composite

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S.
XII International Conference "Electronic Processes in Organic and Inorganic Materials” (ICEPOM-12). , Khmelnytskyi, Ukraine, 1 - 05 June 2020, vol.1, no.1, pp.344, (Summary Text)

24. Photoelectret effect in polymer-photosensitive semiconductor n-InSe composites

Abdinov A., Babayeva R., Cəfərova S., Ragimova N.
XII International Conference "Electronic Processes in Organic and Inorganic Materials” (ICEPOM-12). , Khmelnytskyi, Ukraine, 1 - 05 June 2020, vol.1, no.1, pp.345, (Summary Text)

25. Влияние случайных макроскопических дефектов на разогрев носителей тока электрическим полем в слоистом полупроводнике n-InSe

Abdinov A., Babayeva R.
ФизикА.СПб. /2019, Sankt-Peterburg, Russia, 22 - 24 October 2019, vol.1, no.1, pp.381-382, (Summary Text)

26. Solar photoelements with highly stable parameters and characteristics based on layered semiconductor compounds AIIIBVI

Abdinov A., Babayeva R.
15th International Conference on “Technical and Physical Problems of Electrical Engineering”. , İstanbul, Turkey, 14 - 15 October 2019, pp.155-158, (Full Text)

27. DEPENDENCE OF PHOTOCONDUCTIVITY ON THE ELECTRICAL FIELD IN n-InSe

Babayeva R.
International Conference on Modern Trends in Physics, Baku, Azerbaijan, 1 - 03 May 2019, pp.20-23, (Full Text) identifier

28. Effect of random macroscopic defects on kinetic phenomena in a layered semiconductor n-InSe with strong electric fields

Abdinov A. S., Babayeva R.
International Conference on PhysicA.SPb, Saint Peter, Guernsey And Alderney, 22 - 24 October 2019, (Full Text) identifier identifier

29. Incommensurate Phase Transition and Electronic Properties of BaMnF4

PALAZ S., ŞİMŞEK Ş., KOÇ H., Babayeva R., Mamedov A. M., ÖZBAY E.
5th International Conference on Competitive Materials and Technology Processes (ic-cmtp), Miskolc-Lillafured, Hungary, 8 - 12 October 2018, (Full Text) Davamlı İnkişaf identifier identifier

30. INFLUENCE OF EXTERNAL AND INTRACRYSTALLINE FACTORS ON THE MOBILITY OF CHARGE MEDIA IN n-InSe SINGLE CRYSTALS

Abdinov A. S., Babayeva R.
International Conference on Modern Trends in Physics, Baku, Azerbaijan, 1 - 03 May 2019, pp.24-26, (Full Text) identifier

31. Flexible thin layer solar photoelements with increased sensitivity on the basis of layered AIIIBVI compounds single crystals

Abdinov A., Babayeva R.
ICTPE-2018. The 14-th International Conference on Technical and Physical Problems of Electrical Engineering, Nakhchivan, Azerbaijan, 15 - 17 October 2018, vol.1, no.1, pp.138-142, (Full Text)

32. Flexible thin layer solar photoelements with in¬creased sensitivity on the basis of layered AIIIBVI compounds single crystals

Abdinov A., Babayeva R.
The 14-th International Conference on Technical and Physical Problems of Electrical Engineering. , Nakhchivan, Azerbaijan, 15 - 17 October 2018, vol.1, no.1, pp.138-142, (Full Text)

33. Инжекционно-рекомбинационные явления в слоистых халькогенидных полупроводниках со случайными макроскопическими дефектами

Abdinov A., Babayeva R.
XI международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». , Sankt-Peterburg, Russia, 19 - 21 October 2018, vol.1, no.1, pp.155-156, (Full Text)

34. Особенности фотолюминесценции в слоистых полупроводниках типа селенидов соединений AIIIBVI, легированных РЗЭ

Abdinov A., Babayeva R.
VIII Международная научная конференция "ФТТ. Актуальные проблемы физики твердого тела." , Minsk, Belarus, 24 - 28 September 2018, vol.1, no.1, pp.179-181, (Full Text)

35. Некоторые физико-химические аспекты получения легирования РЗЭ монокристаллов слоистых селенидов AIIIBVI

Babayeva R.
Научная конференция "Нагиевские чтения", посвященная к 110-летию академика М.Нагиева, Baku, Azerbaijan, 12 - 13 June 2018, vol.1, no.1, pp.309, (Summary Text)

36. n-InSe monokristalları əsasında çoxdiapazonlu infraqırmızı fotoqəbuledicilər

Babayeva R.
Международная научная конференция "Актуальные проблемы современных естественных и экономических наук". , Ganca, Azerbaijan, 4 - 05 May 2018, vol.1, no.5, pp.7-9, (Full Text)

37. Комбинированный оптоэлектронный элемент на основе слоистых полупроводников AIIIBVI

Abdinov A., Babayeva R.
Международная научная конференция "Актуальные проблемы современных естественных и экономических наук". , Ganca, Azerbaijan, 4 - 05 May 2018, vol.1, no.5, pp.41-44, (Full Text)

38. Переключатель света с "S"-образной ВАХ на основе монокристаллов p-GaSeРЗЭ>

Abdinov A., Babayeva R.
Международная научная конференция "Актуальные вопросы прикладной физики и энергетики", Sumqayit, Azerbaijan, 7 - 08 May 2018, vol.1, no.1, pp.144-146, (Full Text)

39. Преобразователи солнечной энергии на основе p-GaSeGd>/n-InSeGd>

Babayeva R.
Международная научная конференция "Актуальные вопросы прикладной физики и энергетики". , Sumqayit, Azerbaijan, 7 - 08 May 2018, vol.1, no.1, pp.159-160, (Full Text)

40. Фотопроводимость и электролюминесценция в легированных редкоземельными элементами монокристаллах n-InSe

Babayeva R., Rzayev R.
Физика. Технологии. Инновации: IV Международная молодежная научная конференция , Jekaterinburg, Russia, 15 - 19 May 2017, vol.1, no.1, pp.100-101, (Summary Text)

41. Optoelektronika üçün perspektivli material olan InSe-də fotorezistiv effektin xüsusiyyətləri

Abdinov A., Babayeva R.
Müasir təbiət elmlərinin aktual problemləri Beynəlxalq konfrans, Ganca, Azerbaijan, 4 - 06 May 2017, vol.1, no.3, pp.169-171, (Full Text)

42. Anomalies of the kinetic phenomena in semiconducting AIIIBVI compounds with a layered crystalline structure

Abdinov A., Babayeva R.
International Conference Modern Trends in Physics. , Baku, Azerbaijan, 20 - 22 April 2017, vol.1, no.1, pp.58-60, (Full Text)

43. Anomalies of the kinetic phenomena in semiconducting AIIIBVI compounds with a layered crystalline structure

Abdinov A. S., Babayeva R.
International Conference on Modern Trends in Physics, Baku, Azerbaijan, 20 - 22 April 2017, pp.58-60, (Full Text) identifier

44. Светопереключатели с управляемыми параметрами на основе монокристаллов селенида индия, легированных гадолинием

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rasulov E.
Актуальные проблемы физики. Республиканская научная конференция, Baku, Azerbaijan, 26 - 27 December 2016, vol.1, no.1, pp.55-58, (Full Text)

45. Об особенностях кинетических параметров в слоистых полупроводниках типа селенидов соединений АIIIBVI

Abdinov A., Babayeva R., Cəfərova S., Ragimova N.
ФТТ. Актуальные проблемы физики твердого тела. Международная научная конференция, Minsk, Belarus, 22 - 25 November 2016, vol.1, no.1, pp.190-192, (Full Text)

46. Electronic properties of photovoltaic solar energy converters based on p-GaSeDy>/n-InSeDy> heterostructures

Abdinov A., Babayeva R., Mehtiyev N., Rasulov E., Rzayev R.
12th International Conference on Technical and Physical problems of electrical engineering. ICTPE-2016 , Bilbao, Spain, 7 - 09 September 2016, vol.1, no.1, pp.163-166, (Full Text) Davamlı İnkişaf

47. Electroluminescent switch with controlled by light S-shared current-voltage characteristics based on n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Rasulov E.
8th Internаtional conference on materials science and condensed matter physics, Chisinau, Moldova, 12 - 16 September 2016, vol.1, no.1, pp.56, (Summary Text)

48. Солнечные фотоэлементы на основе моноселенидов галлия и индия

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R.
«Возобнов¬ляемые источники энергии: технологии и установки» , Toskent, Uzbekistan, 9 - 11 May 2016, vol.1, no.1, pp.100-101, (Full Text)

49. Особенности электронных свойств частично-неупорядоченных полупроводников типа моноселенидов соединений АIIIВVI cо слоистой структурой

Abdinov A., Babayeva R., Mehtiyev N.
Международная конференция “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, Sankt-Peterburg, Russia, 16 - 18 May 2016, vol.1, no.1, pp.347-348, (Full Text)

50. О фотоэлектрических свойствах перспективного для солнечной энергетики полупроводникового материала моноселенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Allahverdiyev S., Amirova S., Mehtiyev N., Rasulov E.
«Возобновляемые источники энергии: технологии и установки», Toskent, Uzbekistan, 9 - 11 May 2016, vol.1, no.1, pp.101-103, (Full Text)

51. Фотоприемники для УФ- и видимого диапазона на основе кристаллов моноселенида галлия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N.
XXIV Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения., Moscow, Russia, 27 - 30 May 2016, vol.1, no.1, pp.522-525, (Full Text)

52. Специфические особенности электронных свойств монокристаллов InSe

Abdinov A., Babayeva R., Mehtiyev N.
«Fizikanın aktual problemləri» Respublika elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 15 - 17 December 2015, vol.1, no.1, pp.60-62, (Full Text)

53. Влияние температуры на собственную фотопроводимость в кристаллах слоистых моноселенидов АIIIBVI

Babayeva R., Rzayev R.
«Fizikanın aktual problemləri» Respublika elmi konfrans, Baku, Azerbaijan, 15 - 17 December 2015, vol.1, no.1, pp.75-78, (Full Text)

54. Фотопроводимость частично-неупорядоченных кристаллических полупроводников типа соединений АIIIBVI со слоистой структурой

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N., Amirova S.
Международная конференция «Фундаментальные и прикладные вопросы физики». , Toskent, Uzbekistan, 13 - 15 October 2015, vol.1, no.1, pp.84-86, (Summary Text)

55. Anizotrop ZnIn2Se4 fotokristallarında relaksasiya prosesləri

Abdinov A., Babayeva R., Sadig X., Mehtiyev N.
BDU-nun Fizika Problemləri İnstitutunun yaradılmasının 10 illiyinə həsr olunmuş “Opto-, nanoelektronika, kondensə olunmuş mühit və yüksək enerjilər fizikası” Beynəlxalq konfransı, Baku, Azerbaijan, 25 - 26 May 2015, vol.1, no.1, pp.85-87, (Full Text)

56. Влияние электрического поля на фотопроводимость в пространственно-неоднородных полупроводниках типа слоистых моноселенидов

Babayeva R., Rzayev R.
BDU-nun Fizika Problemləri İnstitutunun yaradılmasının 10 illiyinə həsr olunmuş “Opto-, nanoelektronika, kondensə olunmuş mühit və yüksək enerjilər fizikası” Beynəlxalq konfransı, Baku, Azerbaijan, 25 - 26 May 2015, vol.1, no.1, pp.88-90, (Full Text)

57. К вопросу о необычных особенностей фотопроводимости кристаллов АIIIBVI со слоистой структурой

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Rzayev R.
«Фундаментальные и прикладные вопросы физики». Республиканской конференции, посвященной 100-летию академика С.А. Азимова, Toskent, Uzbekistan, 20 - 23 October 2014, vol.1, no.1, pp.104-105, (Full Text)

58. К вопросу о влиянии температуры и легирования на электрофизические свойства слоистого полупроводника n-InSe

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R., Amirova S.
BDU-nun 95 illik yubileyinə həsr olunmuş “Fizikanın müasir problemləri” VIII Respublika konfransı. “Opto-, nanoelektronika, kondensə olunmuş mühit və yüksək enerjilər fizikası”, Baku, Azerbaijan, 13 - 14 October 2014, vol.1, no.1, pp.93-96, (Full Text)

59. Индуцированные примесные электронные явления в слоистых кристаллах моноселенидов галлия и индия

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Cəfərova S., Rzayev R.
«Фундаментальные и прикладные вопросы физики». Республиканская конференция, посвященная 100-летию академика С.А. Азимова., Toskent, Uzbekistan, 20 - 23 October 2014, vol.1, no.1, pp.56-57, (Summary Text)

60. Особенности кинетических параметров в слоистых полупроводниках типа соединений АIIIBVI

Rzayev R., Babayeva R., Abdinov A., Mehtiyev N.
«Фундаментальные и прикладные вопросы физики. Республиканская конференция, посвященная 100-летию академика С.А. Азимова. , Toskent, Uzbekistan, 20 - 23 October 2014, vol.1, no.1, pp.102-103, (Full Text)

61. Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов InSe

Abdinov A., Babayeva R., Mehtiyev N., Rzayev R.
XXIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения., Moscow, Russia, 26 - 28 May 2014, vol.1, no.1, pp.119-122, (Full Text)

62. К вопросу о происхождении и возможностях управления нестабильностей па-раметров негатронных элементов на основе слоистых кристаллов АIIIBVI

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R., Amirova S.
Седьмая международная научно-техническая конференция «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе». МЭПП, Sumqayit, Azerbaijan, 16 - 17 December 2013, vol.1, no.1, pp.135-136, (Full Text)

63. Гетерогенные фотовольтаические элементы с управляемыми параметрами.

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Hasanov Y.
“Fizikanın müasir problemləri” VII Respublika konfransı, “Opto-, nanoelektronika, kondensə olunmuş mühit və yüksək enerjilər fizikası”., Baku, Azerbaijan, 23 - 24 December 2013, vol.1, no.1, pp.87-88, (Full Text)

64. Солнечные преобразователи на основе селенидов галлия и индия

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rzayev R.
Akademik B.M.Əsgərovun 80 illik yubileyinə həsr olunmuş “Fizikanın aktual problemləri” Beynəlxalq elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 25 - 26 December 2013, vol.1, no.1, pp.47-48, (Full Text)

65. Кристаллы АIIIBVI, как перспективные материалы для полупроводниковой опто- и фотоэлектроники

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rzayev R.
“Fizikanın müasir problemləri” VII Respublika konfransı, “Opto-, nanoelektronika, kondensə olunmuş mühit və yüksək enerjilər fizikası”, Baku, Azerbaijan, 23 - 24 December 2013, vol.1, no.1, pp.89-90, (Full Text)

66. К вопросу об аномальных поведений электрофизических параметров слоистых кристаллов АIIIBVI в области низких температур

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Amirova S.
«Фундаментальные и прикладные вопросы физики». Международная Конференция, посвященная 70-летию Физико-технического института НПО «Физика-Солнце» АН РУз. , Toskent, Uzbekistan, 8 - 10 October 2013, vol.1, no.1, pp.58-59, (Full Text)

67. Подвижностный фотоэффект в кристаллах InSe

Abdinov A., Babayeva R., Amirova S., Ragimova N., Rzayev R.
BDU, Fizika Problemləri İnstitutu. “Fizikanın müasir problemləri” VI Respublika konfransı, Baku, Azerbaijan, 25 - 26 December 2012, vol.1, no.1, pp.33-35, (Full Text)

68. Влияние легирования Gd на электрические свойства кристаллов p-GaSe

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Amirova S., Ragimova N.
“Fizikanın aktual problemləri” VII Respublika elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 12 - 14 November 2012, vol.1, no.1, pp.65-66, (Summary Text)

69. Управление электрическим полем параметрами и характеристиками фотоприемников на основе слоистых кристаллов A3B6.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Amirova S.
XXII международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и проборам ночного видения. , Moscow, Russia, 28 - 29 May 2012, vol.1, no.1, pp.327-329, (Full Text)

70. К вопросу о специфических особенностях примесных фотоэффектов в монокристаллах селенида галлия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Amirova S., Hasanov Y.
Республиканская научно-практическая конференция «Современные проблемы физики. Опто, наноэлектроника и физика конденсированных сред»., Baku, Azerbaijan, 16 - 17 December 2011, vol.1, no.1, pp.24-26, (Summary Text)

71. Qallium selen monokristallarında termostimullaşdırılmış keçiriciliyə elektrik sahəsinin təsiri

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
BDU, Fizika Problemləri İnstitutu. “Fizikanın müasir problemləri” IV Respublika konfransı, Baku, Azerbaijan, 20 - 21 December 2010, pp.164-167, (Full Text)

72. p-GaSe kristallarının udma spektrinə xarici gərginliyin təsiri

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
“Fizikanın aktual problemləri” VI Respublika elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 15 - 17 November 2010, vol.1, no.1, pp.70, (Full Text)

73. p-GaSe kristallarında çoxmərhələli aşqar fotokeçiricilik hadisələri.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
“Fizikanın aktual problemləri” VI Respublika elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 15 - 17 November 2010, vol.1, no.1, pp.69, (Full Text)

74. Фотоприемники на основе гетероструктур n-InSeHo>/p-GaSeHo>

Abdinov A., Babayeva R.
XXI Международная научно-техническаяконференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения., Moscow, Russia, 27 - 28 May 2010, vol.1, no.1, pp.97, (Summary Text)

75. Laylı quruluşlu qismən nizamsız yarımkeçiricilərdə çeviricilik hadisələri haqqında

Abdinov A., Babayeva R.
Bakı Dövlət Universitetinin 90 illik yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq elmi konfrans, Baku, Azerbaijan, 16 - 17 November 2009, vol.1, no.1, pp.243-244, (Full Text)

76. Lantanoid atomları ilə aşqarlanmış indium monoselenidi kristallarında optik yorulma effekti

Abdinov A., Babayeva R., Mehtiyev N., Mammadov H., Ragimova N.
BDU, Fizika Problemləri İnstitutu: “Fizikanın müasir problemləri” III Respublika konfransı, Baku, Azerbaijan, 2 - 04 November 2009, vol.3, no.1, pp.175-178, (Full Text)

77. Bəzi lantanoid atomları daxil edilmiş p-GaSe kristallarında Holl yürüklüyünün xüsusiyyətləri

Abdinov A., Babayeva R., Allahverdiyev S.
“Fizikanın müasir problemləri” II Respublika konfransı, Baku, Azerbaijan, 20 - 22 October 2008, vol.3, no.1, pp.172-175, (Full Text)

78. Управление инерционностью ИК-фоточувствительности слоистых кристаллов селенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R.
XX Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Moscow, Russia, 26 - 28 May 2008, vol.1, no.1, pp.196, (Summary Text)

79. Отрицательная фотопроводимость и гашения неравновесных проводимостей в кристаллах p-GaSeРЗЭ>

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Allahverdiyev S.
«Fizikanın müasir problemləri» I Respublika konfransı, Baku, Azerbaijan, 19 - 21 November 2007, vol.1, no.1, pp.212-213, (Full Text)

80. Photodetectors for visible and near infrared region with controlled sensitive on the basis of p-GaSe single crystals doped by rare-earth elements

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Bagirova A.
E-MRS 2007 Spring Meeting, Strasbourg, France, 14 - 16 May 2007, vol.1, no.1, pp.6636, (Summary Text)

81. Photovoltaic elements on the basis of InSe and GaSe, alloyed by rare-earth elements.

Abdinov A., Babayeva R., Bagirova A.
E-MRS 2007 Spring Meeting, Strasbourg, France, 14 - 16 May 2007, vol.1, no.1, pp.11, (Summary Text)

82. Photodetectors for visible and near infra-red region with controlled sensitivity on the basis of p-GaSe single crystals doped by rare-earth elements

Abdinov A., Babayeva R., Bagirova A., Rzaev R.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, Moscow, Russia, 23 - 26 May 2006, vol.6636, no.6636, pp.663601-663604, (Full Text)

83. Электролюминесценция в легированных редкоземельными элементами кристаллах А3В6 со слоистой структурой.

Abdinov A., Babayeva R., Bagirova A.
IV Республиканская научная конференция «Актуальные проблемы физики», Baku, Azerbaijan, 20 - 21 November 2006, vol.1, no.1, pp.55-56, (Full Text)

84. About the opportunity of creation wideband solar photocells on the basis of gallium selenide doped by RARE earths elements

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Bağırova A.
3-rd international conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering. , Ankara, Turkey, 16 - 18 October 2006, vol.4, no.1, pp.1040-1043, (Full Text)

85. Фотоприемники видимого и ближнего ИК-диапазона с управляемой чувствительностью на основе монокристаллов p-GaSe, легированных редкоземельными элементами.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Bagirova A.
XIX Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. , Moscow, Russia, 24 - 26 May 2006, vol.1, no.1, pp.200, (Summary Text)

86. Electroluminescence switchers on the basis of indium and gallium selenides layered crystals doped by RARE elements

Abdinov A., Babayeva R., Bagirova A., Rzayev R.
E-MRS 2006 Spring Meeting. , Strasbourg, France, 17 - 18 May 2006, vol.1, no.1, pp.26, (Summary Text)

87. Электролюминесцентные источники света с "S" образной ВАХ на основе слоистых кристаллов А3В6РЗЭ>

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Bagirova A.
Десятая международная научная конференция и школа-семинар "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", Severodvinsk, Russia, 10 - 12 April 2006, vol.2, no.2, pp.237-240, (Full Text)

88. Photoelectric properties of isotype heterojunctions n-InSe〈REE〉/ n-CuInSe2 in visible and near IR-region

Abdinov A., BABAYEVA R., Ismayilov R., Eyvazova G.
18th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 25 - 28 May 2004, vol.5834, pp.260-263, (Full Text) identifier

89. The effect of doping by rare earth elements on initial and sensibilized IR-photosensitivity of layered indium selenide crystals

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Eyvazova G.
18th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 25 - 28 May 2004, vol.5834, pp.299-303, (Full Text) identifier

90. Peculiarities of phototrigger phenomenon in laminar monocrystals of A3B6 compounds, doped by RARE elements

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Eyvazova G.
E-MRS 2005 Spring Meeting, Strasbourg, France, 19 - 21 May 2005, vol.1, no.1, pp.19, (Summary Text)

91. n-InSeNTE> kristalları əsasında hazırlanmış bəzi heterokeçidlərin elektrik xassələri

Abdinov A., Babayeva R., Eyvazova G., İsmayılov R.
«Fizikanın aktual problemləri» III Respublika elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 19 - 21 October 2004, vol.1, no.1, pp.77-78, (Summary Text)

92. Laylı A3B6NTE> kristalları əsasında heterostrukturlar.

Babayeva R., Eyvazova G., Rzayev R.
«Fizikanın aktual problemləri» III Respublika elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 19 - 20 October 2004, vol.1, no.1, pp.82, (Summary Text)

93. The photoelectric converters of solar energy on the basis of anizotypic n-InSeRE>/p-GaSe heterojunctions.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Eyvazova G., Bagirova A.
Second International conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering, Tabriz, Iran, 11 - 14 October 2004, vol.1, no.1, pp.813-815, (Full Text)

94. Влияние легирования редкоземельными элементами на исходную и сенсибилизированную ИК-фоточувствительность слоистых кристаллов селенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Eyvazova G.
XVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. , Moscow, Russia, 26 - 28 May 2004, vol.1, no.1, pp.196, (Summary Text)

95. Фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSeРЗЭ>/n-CuInSe2 в видимой и ближней ИК-области

Abdinov A., Babayeva R., Ismayilov R., Eyvazova G.
XVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения., Moscow, Russia, 26 - 28 May 2004, vol.1, no.1, pp.197-198, (Summary Text)

96. Оптоэлектронные элементы на основе p-GaSeРЗЭ>

Abdinov A., Babayeva R., Bagirova A., Rzayev R.
Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Девятая международная научно-техническая конференция, Taganrog, Russia, 19 - 21 May 2004, vol.1, no.1, pp.178-180, (Full Text)

97. Luminescence of A3B6 type layered crystals doped by rare elements

Abdinov A., Babayeva R., Mehtiyev N., Rzayev R.
E-MRS Spring Meeting 2003, Strasbourg, France, 20 - 22 May 2003, vol.1, no.1, pp.945, (Summary Text)

98. Sensitization of IR photosensitivity by electrical field in indium selenide layered crystals

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R., Eyvazova G.
17TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHOTOELECTRONICS AND NIGHT VISION DEVICES, Moscow, Russia, 27 - 31 May 2002, vol.5126, pp.381-385, (Full Text) identifier

99. Sensitization of IR photosensitivity by electrical field in indium selenide layered crystals

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R., Eyvazova G.
17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 27 - 31 May 2002, vol.5126, pp.381-385, (Full Text) identifier

100. Слоистые материалы электронной техники типа соединений А3В6.

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R.
8-ой Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». , Taganrog, Russia, 18 - 20 September 2002, vol.1, no.1, pp.185-186, (Full Text)

101. Сенсибилизация ИК фоточувствительности в слоистых кристаллах типа соединений селенида индия электрическим полем.

Abdinov A., Babayeva R., Ragimova N., Rzayev R., Eyvazova G.
XVII Международнаянаучно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения., Moscow, Russia, 22 - 25 May 2002, vol.1, no.1, pp.161, (Summary Text)

102. Сенсибилизация фоточувствительности преобразователей солнечной энергии на основе кристаллов селенида индия.

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Eyvazova G.
First International conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering, Baku, Azerbaijan, 23 - 26 October 2001, vol.1, no.1, pp.318-321, (Full Text)

103. Aşqarlanmış InSe monokristallarında fotolüminessensiyanın bəzi xüsusiyyətləri

Abdinov A., Babayeva R., Rzayev R., Ragimova N., Eyvazova G.
«Fizikanın aktual problemləri» I Respublika elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 16 - 18 April 2001, vol.1, no.1, pp.81-82, (Summary Text)

104. InSe:Dy - материалы для функциональной электроники.

Abdinov A., Babayeva R.
Седьмая международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». , Taganrog, Russia, 12 - 14 June 2000, vol.1, no.1, pp.176-178, (Full Text)

105. Фотопроводимость осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe в ИК области.

Abdinov A., Babayeva R., Cafarov M., Nasirov E.
XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. , Moscow, Russia, 23 - 26 May 2000, vol.1, no.1, pp.105, (Summary Text)

106. Фоточувствительность пленок CdS1-xSex в ближней ИК-области.

Abdinov A., Babayeva R., Mehdiyev N., Mammadov H.
XVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. , Moscow, Russia, 24 - 26 May 2000, vol.1, no.1, pp.40, (Summary Text)

107. Photoconductivity of Cd1-xZnxSe films in IR region deposited from solution

Abdinov A. S., Jafarov M. A., Babayeva R., Nasirov E. F., Mamedov H. M.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, Moscow, Russia, 25 - 27 May 2000, vol.4340, pp.112-116, (Full Text)

108. The luminescence properties of InSe doped by Dy.

Abdinov A., Babayeva R.
Physical problems in material science of semiconductors. , Chernivtsi, Ukraine, 21 - 23 September 1999, vol.1, no.1, pp.182, (Summary Text)

109. Electrotermostimulated conductivity in InSe doped by Dy.

Babayeva R.
Physical problems in material science of semiconductors, Chernivtsi, Ukraine, 21 - 23 September 1999, vol.1, no.1, pp.216, (Summary Text)

110. Фотостимулированные процессы в монокристаллах InSe:Dy

Babayeva R.
«Fizikanın aktual problemləri» I Respublika elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 19 - 21 October 1998, vol.1, no.1, pp.149-150, (Summary Text)

111. Аномалии электрических свойств в частично-неупорядоченных монокристаллах селенида индия, легированных диспрозием.

Abdinov A., Babayeva R.
«Fizikanın aktual problemləri» I Respublika elmi konfransı, Baku, Azerbaijan, 19 - 21 October 1998, vol.1, no.1, pp.117, (Summary Text)

112. Structural defect sand impurities in partiallyn on-ordered layered semiconductor materials.

Abdinov A., Babayeva R., Nurullayev Y.
Physical problems in material science of semiconductors. , Chernivtsi, Ukraine, 19 - 21 May 1997, vol.1, no.1, pp.35, (Summary Text)

113. Intrinsic defects and electrical nonstability in InSe single crystals doped by Dy.

Abdinov A., Babayeva R.
Physical problems in material science of semiconductors. , Chernivtsi, Ukraine, 19 - 21 May 1997, vol.1, no.1, pp.63, (Summary Text)

114. Особенности фотоэлектрической памяти в монокристаллах InSe:Dy с глубокими уровнями захвата.

Abdinov A., Babayeva R., Nurullayev Y.
Международная конференция «Центры с глубокими уровнями в полупроводниковых структурах», Uljanovsk, Russia, 16 - 18 April 1997, vol.1, no.1, pp.196-197, (Summary Text)

115. Effect Spectrum Storage in InSe:Dy Thin films.

Abdinov A., Babayeva R.
7-th international conference on Solid films and surfaces. , Changhwa, Taiwan, 12 - 16 December 1994, vol.1, no.1, pp.232-233, (Summary Text)

116. К вопросу о влиянии легирования диспрозием на примесные фотоэлектрические явления в монокристаллах селенида индия.

Abdinov A., Babayeva R.
Республиканская научная конференция "Физика-93", Baku, Azerbaijan, 23 - 24 December 1993, vol.1, no.1, pp.3, (Summary Text)

117. Легирование слоистых полупроводников типа соединений А3В6 редкоземельными элементами.

Babayeva R., Rzayev R., Huseynov A.
Республиканская научная конференция "Физика-93", Baku, Azerbaijan, 23 - 24 December 1993, vol.1, no.1, pp.28, (Summary Text)

118. Медленно-релаксирующие электронные процессы в легированных редкоземель-ными элементами монокристаллах А3В6 со слоистой структурой.

Abdinov A., Babayeva R.
I Российская конференция по физике полупроводников, Nizhnij-Novgorod, Russia, 15 - 17 November 1993, vol.1, no.1, pp.130, (Summary Text)

119. Extraordinary electrical properties of partially nonhomogeneous InSe:Dy layer crystals.

Abdinov A., Babayeva R.
The 9th international conference on ternary and multinary compounds, Tokai, Japan, 14 - 17 September 1993, vol.1, no.1, pp.63, (Summary Text)

120. Влияние легирования диспрозием на фотолюминесценцию в монокристаллах селенида индия.

Abdinov A., Babayeva R.
V межвузовская научная конференция по физике, Baku, Azerbaijan, 21 - 22 December 1992, vol.1, no.1, pp.89, (Summary Text)

121. REE doping effect on the photoconductivity of AIIIBVI type layer single crystals in the fundamental absorption region.

Abdinov A., Babayeva R.
Physics of multicomponent semiconductors, Baku, Azerbaijan, 12 - 15 October 1992, vol.1, no.1, pp.7, (Summary Text)

122. Изотермическая релаксация фототока в монокристаллах селенида индия

Abdinov A., Babayeva R., Mehdiyev N.
II научная конференция «Фотоэлектрические явления в полупроводниках». , Asgabat, Turkmenistan, 9 - 12 October 1991, vol.1, no.1, pp.13-14, (Summary Text)

123. Отрицательная фотопроводимость и инфракрасное гашение собственной фотопроводимости в монокристаллах InSe:Dy.

Babayeva R.
II научная конференция «Фотоэлектрические явления в полупроводниках». , Asgabat, Turkmenistan, 9 - 12 October 1991, vol.1, no.1, pp.135-136, (Summary Text)

124. Влияние примесей редкоземельных элементов при различных уровнях легирования на фотоэлектрические свойства слоистых монокристаллов соединений типа А3В6.

Abdinov A., Babayeva R.
3-ая Всесоюзная научно-техническая конференция «Материаловедение халькогенидных полупроводников». , Chernivtsi, Ukraine, 11 - 13 September 1991, vol.2, no.1, pp.221, (Summary Text)

125. Фотоэлектрические явления в облученных быстрыми электронами монокристаллах кадмий-ртуть-теллур с 0.60х0.95

Abdinov A., Babayeva R.
Радиационная физика твердого тела, Samarqand, Uzbekistan, 16 - 18 September 1991, vol.3, no.1, pp.293-294, (Summary Text)

126. Изотермическая релаксация и отрицательная температурная зависимость темновой проводимости в монокристаллах селенида индия.

Abdinov A., Babayeva R., Nurullayev Y.
3-ая Всесоюзная научно-техническая конференция «Материаловедение халькогенидных полупроводников», Chernivtsi, Ukraine, 11 - 13 September 1991, vol.2, no.1, pp.93, (Summary Text)
Kitablar 6

1. Materialşünaslıq

Abdinov Ə., Babayeva R., Rəsulov E.
Təhsil, Baku, 2018

2. Электронные явления в p-GaSe и гетероконтактах на его основе

Babayeva R.
LAP LAMBERT Academic Publishing RU, Berlin, 2016

3. Ümumi fizika kursu. Elektrik və maqnetizm

Babayeva R.
Təhsil, Baku, 2015

4. Fizika praktikumu

Nurullayev Y., Babayeva R., Tağıyev M., Rzayev R.
Maarif, Baku, 2003

5. Ümumi fizika kursundan laboratoriya işlərinə rəhbərlik (mexanika və molekulyar fizika)

Nurullayev Y., Babayeva R.
Maarif, Baku, 1998

6. Ümumi fizika kursundan laboratoriya işlərinə rəhbərlik (mexanika).

Nurullayev Y., Babayeva R.
Maarif, Baku, 1996
Digər nəşrlər 11

1. "Tətbiqi fizika" fənni üzrə tədris proqramı. – Bakı, “İqtisad Universiteti

Babayeva R., Tağıyev M., Axundova N., Cəfərova S., Əhmədova A.
Other, pp.1-19, 2025

2. “Fizikanın əsasları” fənni üzrə tədris proqramı. – Bakı, “İqtisad Universiteti

Rzayev R., Babayeva R., Tağıyev M., Cəfərova S., Axundova N., Əhmədova A.
Other, pp.1-24, 2025

3. “Bərpa olunan enerji mənbələri və ondan istifadə” fənni üzrə tədris proqramı. – Bakı, “İqtisad Universiteti”

Əhmədova A., Babayeva R., Axundova N., Cəfərova S.
Other, pp.1-20, 2025

4. “Alternativ və bərpa olunan enerji mənbələri” fənni üzrə tədris proqramı. – Bakı, “İqtisad Universiteti”

Əhmədova A., Axundova N., Babayeva R., Cəfərova S.
Other, pp.1-20, 2025

5. “Elektrik və elektron texnikasının materialları” fənni üzrə tədris proqramı. – Bakı, “İqtisad Universiteti

Babayeva R., Əhmədova A., Nağıyev T., Cəfərova S., Axundova N.
Other, pp.1-23, 2025

6. Güc elektronikası və elektrik intiqalı

Babayeva R., Sadıqov R., Ələkbərov R.
Other, pp.1-19, 2025

7. Materialların fizikası

Babayeva R., Nağiyev T.
Other, pp.1-24, 2025

8. Rəqəmsal elektronika və proqramlaşdırılan inteqral sxemlər

Babayeva R., Sadıqov R., Tağıyev M., Ələkbərov R.
Other, pp.1-28, 2025

9. Fizika. Proqram

Babayeva R., Rzayev R., Tağiyev M.
Other, pp.1-14, 2015

10. "Elektronika və mikroelektronikanın əsasları" proqram

Babayeva R., Rzayev R., Tağiyev M.
Other, pp.1-10, 2011

11. “Fizika” kursu üzrə proqram

Babayeva R.
Other, pp.1-10, 1998
Ölçülər

Nəşr

283

Nəşr (WoS)

30

Nəşr (Scopus)

49

İstinad (WoS)

189

H-indexi (WoS)

9

İstinad (Scopus)

231

H-indexi (Scopus)

10

İstinad (Scholar)

336

H-indexi (Scholar)

11

İstinad (Digər Cəmi)

201

Ümumi İstinad Sayısı

204

Açıq giriş

2
BMT-nin Dayanıqlı İnkişaf Məqsədləri